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基于SRAM的存算一体

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发表于 2023-10-17 17:02:57 | 显示全部楼层 |阅读模式

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有没有人感兴趣的研究方向是 基于SRAM的存算一体 呀?欢迎留言,希望和你们共同讨论


补充内容 (2023-12-12 11:21):
我把微信交流群二维码贴在最新回复里
发表于 2023-10-17 19:48:36 | 显示全部楼层
发文章还行,实用不大
发表于 2023-10-20 16:00:23 | 显示全部楼层
实用性不大,是指跟上层的编译器不兼容吗?
发表于 2023-10-21 16:10:35 | 显示全部楼层
我的方向是这个
发表于 2023-10-21 16:43:10 | 显示全部楼层


xduic 发表于 2023-10-20 16:00
实用性不大,是指跟上层的编译器不兼容吗?


首先你先搞明白什么是SRAM,然后再看看实际用的SRAM CELL都是谁提供的;然后就知道为啥都是学校发文章,而很少有工业界做这个的了。


不要说你是学校,设计公司自己做SRAM的电路,还是做SRAM COMPILER的IP VENDOR(比如synopsys,或者arm),都是从FAB拿miniarray后设计的,sram cell都是FAB对制程规则的极限压缩后提供出来;你基于SRAM做存算,你有能力改CELL,做OPC,做工艺RULEL检查么? 当然发文章,可以不管面积,不管实用,所以最后也就是发发文章。

实际量产或者实际应用的存算一体,基本都是近存运算,是不改CELL的,就是这样,比如前年阿里发的近存运算的文章,是基于flash的,还是要和三星合作。
发表于 2023-10-22 09:30:58 | 显示全部楼层


andyfan 发表于 2023-10-21 16:43
首先你先搞明白什么是SRAM,然后再看看实际用的SRAM CELL都是谁提供的;然后就知道为啥都是学校发文章, ...


您好,我是否可以理解为是在已有cell的基础上,通过添加一些外围电路构成新的cell,从而作为一个近存内计算的基本单元呢
发表于 2023-10-22 09:59:53 | 显示全部楼层


xduic 发表于 2023-10-22 09:30
您好,我是否可以理解为是在已有cell的基础上,通过添加一些外围电路构成新的cell,从而作为一个近存内计 ...


不单纯是外围,是改动CELL本身结构;


传统SRAM,是给地址,读出一行数据;存算一体,是把地址作为输入,里面存的数值作为另外一个输入,直接进行运算,然后输出结果;

也有不改动任何CELL,只改动周边电路的,但哪个更偏近存运算了,近存商业化有应用。
发表于 2023-11-8 15:58:08 | 显示全部楼层
我的方向就是这个,但是导师是没做过的,纯自己干,研二了啥也没有
发表于 2023-11-26 19:03:54 | 显示全部楼层
请问这个方向发文章,只做仿真工作,不流片,有机会吗
发表于 2023-12-3 09:51:51 | 显示全部楼层


seniorious 发表于 2023-11-26 19:03
请问这个方向发文章,只做仿真工作,不流片,有机会吗


哥们,我也是做SRAM 存算的,方便交流一下吗?

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