在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 1942|回复: 11

[求助] level shift 有什么低功耗的结构不?需要0-1V转到1-2V方波

[复制链接]
发表于 2023-10-12 15:13:34 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
工作在2.4G频段,130工艺,功耗小,占空比50%就行。
发表于 2023-10-12 15:31:02 | 显示全部楼层
同求,有经典论文吗
 楼主| 发表于 2023-10-12 15:53:36 | 显示全部楼层
2032电子科大的J里面有一个结构,但是我搬运到130就用不了了
屏幕截图 2023-10-12 155234.png
 楼主| 发表于 2023-10-12 15:56:25 | 显示全部楼层
就是想功耗小点,占空比50准确点。其他的结构两种情况,一个是先从0-VDD到0-2VDD再经过反相器到VDD-2VDD,但是这样功耗很大,占空比不准,另一种是上面的结构,我在130/180工艺都试过了,怎么调节宽长比也出不来波形,出不来从VDD-2VDD的波形。
发表于 2023-10-13 14:55:44 | 显示全部楼层

试试这个结构

本帖最后由 swp24551 于 2023-10-13 14:57 编辑

C:\Users\sigma\Desktop\捕获.PNG
捕获.PNG
发表于 2023-10-13 14:57:43 | 显示全部楼层
来源是这篇文献,里面还有一些结构

单片集成高压开关电源关键技术研究.pdf

4.69 MB, 下载次数: 29 , 下载积分: 资产 -3 信元, 下载支出 3 信元

 楼主| 发表于 2023-10-14 11:25:11 | 显示全部楼层


swp24551 发表于 2023-10-13 14:57
来源是这篇文献,里面还有一些结构


2.4G方波输入.VDD=1.2,VDD2=2.4。130工艺P/N宽度=4/2u

2.4G方波输入.VDD=1.2,VDD2=2.4。130工艺P/N宽度=4/2u
感谢,这篇文章很有用。但是我会遇到了新的问题,电路现在产生了不稳定的情况。

VL是2.4G输入,紫色和蓝色是左右两边各自N/PMOS中间电压,橙色和黄色是PMOS中间的电平。 ...

VL是2.4G输入,紫色和蓝色是左右两边各自N/PMOS中间电压,橙色和黄色是PMOS中间的电平。 ...
发表于 2023-10-15 08:51:30 | 显示全部楼层
NMOS的W/L要大一些,PMOS的W/L要小点,通常要求速度快的话,PMOS就不能过分小
发表于 2023-10-17 13:52:56 | 显示全部楼层
试试这个,可以提升速度,降低功耗。但是复杂度会比较高

eetop.cn_Novel Low Delay High-Voltage Level Shifter with Transient Performanc.pdf

2.51 MB, 下载次数: 17 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

 楼主| 发表于 2023-10-30 12:14:11 | 显示全部楼层


swp24551 发表于 2023-10-17 13:52
试试这个,可以提升速度,降低功耗。但是复杂度会比较高


谢谢,结构没有问题,只是我这边频率太高了,2.4G速度跟不上,0.24G倒是可以。而且130工艺尺寸太大了就不符合我的设计了。
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-12-23 02:10 , Processed in 0.027383 second(s), 7 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表