class-D PA half bridge输出Vout超过VDD

Xuxans · 发表于 2023-9-24 22:02:27

本帖最后由 Xuxans 于 2023-9-24 22:15 编辑

请教大家一个问题，在class-D功率放大器中，内部包含两个半桥，半桥输出分别为OUT1和OUT2，接RLC串联谐振电路。两个半桥输入电压为相位差180°的方波，输出电流为正弦波，但是输出电压发生失真。图为OUT1/OUT2波形，波形发生凹陷，且最高点电压超过VDD。目前推测凹陷是由于Ron分压，且验证了寄生电容对此也有影响，但是最高点电压为什么超过VDD(1.8V)？由于寄生电容上的电荷积累？以及有什么解决办法吗？还有请教各位，芯片内部的功率管一般怎么设置？是工艺里包含专门用于大功率的CMOS吗？还是使用普通的CMOS增加multipliers和fingers当作功率管使用？
屏幕截图 2023-09-24 214839.jpg

andy2000a · 发表于 2023-9-25 08:54:02

Power ic 一般LDMOS .

Xuxans · 发表于 2023-9-26 11:14:26

已经解决了，应该是电流相位差的问题，在范围内电流反向，导致电压超过VDD。

dolamos · 发表于 2024-10-14 13:48:05

kan kan

[求助] class-D PA half bridge输出Vout超过VDD