电容失配仿蒙特卡洛的sigma过高且改变Finger个数和长度数量失配率都不变

joyholi

工艺库是smic55nm，电容为mom_2t_ckt，仿真的电路就是论坛里最常见的利用理想电容测的，mc仿真的模型确认是mos_mc，但是改变finger的长度和finger的个数进行了很多次仿真跑出来的失配率都约等于3.3%，理论上不是随着finger长度增大失配率降低的么？而且相较于其他人仿出来的失配率，3.3%是不是有点太高了？不知道是我仿真设置错误了还是什么原因，有人遇到过这种问题么，希望有大佬可以解答一下。

12456789

joyholi 发表于 2023-9-22 10:45
蒙卡设置是这样的

不要选ALL，选mismatch就行，process是工艺误差，相当于wafer误差，理想的没有误差；你用两个一样电容跑mc就能看出来，process是0然后有mismatch。

zjjszt

蒙卡设置有没有错

12456789

设置里面把process mismatch去掉，这是把global mismatch跑上了

joyholi

12456789 发表于 2023-9-22 10:17
设置里面把process mismatch去掉，这是把global mismatch跑上了

请问下是这个设置么？改了结果还是没有区别

joyholi

zjjszt 发表于 2023-9-22 09:59
蒙卡设置有没有错

蒙卡设置是这样的

joyholi

补一个跑出来的图

joyholi

12456789 发表于 2023-9-22 14:44
不要选ALL，选mismatch就行，process是工艺误差，相当于wafer误差，理想的没有误差；你用两个一样电容跑m ...

我试了下好像确实是这个问题，仿下来失配率降到了0.15%，扩大finger后失配率也随之降低了，十分感谢！另外想请问下mc仿真时process、mismatch和all这三个选项我该怎么选择，比如比较器的失调电压，我不太理解这三个选项具体会产生什么影响。

12456789

joyholi 发表于 2023-9-22 15:23
我试了下好像确实是这个问题，仿下来失配率降到了0.15%，扩大finger后失配率也随之降低了，十分感谢！另 ...

简单理解的话process你就把它当成工艺角变化，mismatch就是同一工艺角下也会出现的mismatch。理论上讲只用跑mismatch就行了，实际为了提升可靠度可以把process加上。像电容mismatch这样基于工艺手册的数据都是mismatch only的

joyholi

12456789 发表于 2023-9-22 15:39
简单理解的话process你就把它当成工艺角变化，mismatch就是同一工艺角下也会出现的mismatch。理论上讲只 ...

好的好的！十分感谢！