封装使用的RDL和芯片铜互联的通流能力比较

qifei.wang · 发表于 2023-8-23 09:43:51

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封装表面的Cu RDL 布线的通流能力为啥比芯片内的铜互联通流能力差？比如说芯片的铜互联1um 的宽度可以通流8mA，但是封装表面的RDL 20um宽度也就通流20+mA的安全电流，请问是计算方法问题还是什么原因？求大神解释

111stupid · 发表于 2023-8-31 09:28:13

从哪里获取的数据啊，感觉不太靠谱；

qifei.wang · 发表于 2023-9-18 16:11:59

晶圆厂的铜互联通流能力是晶圆厂（TSMC）提供的，封装厂的RDL通流能力是封装厂计算出来的，那你有靠谱的建议吗？

diamondmin · 发表于 2023-9-20 14:37:01

考虑厚度差异再算算

yesmyboy1 · 发表于 2023-11-30 18:34:59

也想知道封装表面的RDL效率怎么被低估了

wingofray · 发表于 2024-12-12 15:48:45

不科学啊，RDL都很厚，而且是用铜，10um厚的Cu按说不会比芯片内部金属还差，芯片内部一半最后也就是4um的top metal

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