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[求助] 封装使用的RDL和芯片铜互联的通流能力比较

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发表于 2023-8-23 09:43:51 | 显示全部楼层 |阅读模式

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封装表面的Cu RDL 布线的通流能力为啥比芯片内的铜互联通流能力差?比如说芯片的铜互联1um 的宽度可以通流8mA,但是封装表面的RDL 20um宽度也就通流20+mA的安全电流,请问是计算方法问题还是什么原因?求大神解释
发表于 2023-8-31 09:28:13 | 显示全部楼层
从哪里获取的数据啊,感觉不太靠谱;
 楼主| 发表于 2023-9-18 16:11:59 | 显示全部楼层
晶圆厂的铜互联通流能力是晶圆厂(TSMC)提供的,封装厂的RDL通流能力是封装厂计算出来的,那你有靠谱的建议吗?
发表于 2023-9-20 14:37:01 | 显示全部楼层
考虑厚度差异再算算
发表于 2023-11-30 18:34:59 | 显示全部楼层
也想知道封装表面的RDL效率怎么被低估了
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