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查看: 1611|回复: 3

[讨论] 大尺寸mos管寄生电容过大导致高频耦合

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发表于 2023-8-18 11:16:21 | 显示全部楼层 |阅读模式
100资产
本帖最后由 EditorTan 于 2023-8-18 11:18 编辑

如题,要做一个大带宽的运放,因此导致电流镜在增益级部分的尺寸太大,有高频信号耦合使得瞬态仿真过程中遇到了高频振荡。这个问题除了改小器件尺寸还能怎么改?

微信图片_20230818102639.png
微信图片_20230818102741.png
屏幕截图 2023-08-18 111556.png
发表于 2023-8-18 15:14:28 | 显示全部楼层
你这个可不就是不稳定振荡嘛,在一种case下pm虽够,但pole和zero靠太近了,都在unit gain附近,大信号下DC点不同后极易振荡,扫个pm vs output dc offset出来,估计峰谷处pm就不够了
 楼主| 发表于 2023-8-18 19:31:39 | 显示全部楼层


风也信子 发表于 2023-8-18 15:14
你这个可不就是不稳定振荡嘛,在一种case下pm虽够,但pole和zero靠太近了,都在unit gain附近,大信号下DC ...


大佬能在详细说明一下吗?
发表于 2024-5-7 14:58:16 | 显示全部楼层
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