可以用virtuoso进行ESD仿真吗？

BraveTiger · 发表于 2023-8-9 14:26:45

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如图，搭建一个理想的ESD放电模型，可以在schematic上进行仿真查看吗

沐风彡 · 发表于 2023-8-10 10:02:13

用cadence仿真有几个问题：

1. 没有理想的开关模型，无法做到charge电荷完成后切换路径让电容对DUT放电；
2. 没有器件的ESD模型（除非电路是GCNMOS结构，可以不用ESD模型）
所以想用cadence做ESD仿真目前来说还是有困难的

BraveTiger · 发表于 2023-8-10 11:05:55

沐风彡发表于 2023-8-10 10:02
用cadence仿真有几个问题：

1. 没有理想的开关模型，无法做到charge电荷完成后切换路径让电容对DUT放电；

感谢答复~

gratwo · 发表于 2023-10-19 10:15:21

esd放电模型就是你附的图，选取合适值就可以。主要的问题是部分esd器件没有对应的model模型。

e123fever · 发表于 2023-10-20 17:35:05

沐风彡发表于 2023-8-10 10:02
用cadence仿真有几个问题：

1. 没有理想的开关模型，无法做到charge电荷完成后切换路径让电容对DUT放电；

关于理想开关，可以用压控电阻，如果库里有的话。

franzjoseph · 发表于 2023-10-29 23:02:28

实际上是可以的，但是建模比较麻烦

iamtorres9 · 发表于 2024-12-18 17:27:15

本帖最后由 iamtorres9 于 2024-12-18 17:30 编辑

沐风彡发表于 2023-8-10 10:02
用cadence仿真有几个问题：

1. 没有理想的开关模型，无法做到charge电荷完成后切换路径让电容对DUT放电；

请想问一下GCMOS如何搭建仿真，以及评估是否满足ESD能力要求呢？

目前按照如图方式搭建仿真电路，开关在100ns的时候切到右边，仿真结果如图：

设计需求是ESD能力4KV，请问这个仿真电路搭建是否正确？另外如何评估是否满足4KV呢？

工艺是0.18um标准CMOS，器件是5V nmos

huana · 发表于 2024-12-24 20:51:29

蹲一下

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