高压BCD工艺的器件选择问题

你跺你也麻

小白刚入坑，第一次使用BCD工艺设计，在器件选型上遇到了一个问题：下图中两种器件结构是一样的，只是一个D和ISO连接起来了，另外一个D和ISO是分离的，请问这两种连接方式有什么区别，优劣势是什么？我想选一个12V的DENMOS管来进行设计，卡在这两个器件选择上了。求各位大神解答。

u12u34

这是体硅BCD工艺。目前只能看出这两种管子的隔离电位不同，第一个管子的隔离电位是这个管子的局部最高电位，第二个管子的隔离电位是全局最高电位。用哪个隔离就看你的设计了，如果管子的工作电压域比VDD高，就用第一种。如果电压域最高电位是VDD就用第二种，体硅工艺的反偏隔离决定了漏电流。

你跺你也麻

u12u34 发表于 2023-7-19 14:39
这是体硅BCD工艺。目前只能看出这两种管子的隔离电位不同，第一个管子的隔离电位是这个管子的局部最高电位 ...

请问点位高低是怎么看出来的？

u12u34

第一个管子的Drain和NBL连死了啊 那这个管子的隔离电位就是这个NMOS的最高点位。第二个管子NBL的隔离电位你就可以自己选了，一般是VDD。