求助：7T\9T标准单元库的管子工艺上有什么不同

BJ_Eric · 发表于 2023-7-19 09:57:53

7T\9T标准单元库的管子工艺上有什么不同

maomao198477 · 发表于 2023-7-19 10:21:11

打开相关文件看下比如GDS 之类的，对比高度， lib 咋的就很清楚了

chuchuang · 发表于 2023-7-19 10:22:42

使用同一工艺哈 7t 9t 指的是高度不同 9t 单元高度大管子w更大驱动强延迟小功耗也更大

PN_Allen · 发表于 2023-7-19 21:15:24

T指track，算是standard cell的高度（其实我理解是二维上的宽度），在这个方向上可以布多少线。
工艺上没差异，就是面积上的差异

andyfan · 发表于 2023-7-21 15:56:32

工艺上没啥差异，高度不同，TRACK是指金属走线PITCH的宽度

yh919 · 发表于 2023-7-22 00:09:55

工艺没差异，只会影响cell ppa，一般高性能偏向于用高track来实现。同一个模块一般不会混用track，仅供参考哈。

BJ_Eric · 发表于 2023-7-27 14:00:18

andyfan 发表于 2023-7-21 15:56
工艺上没啥差异，高度不同，TRACK是指金属走线PITCH的宽度

所以说，同样的工艺下，管子是一样的，只是金属走线的宽度不一样，金属走线更前，电流更大，Std cell的速度更快，是这样的吗/

Alexander_Tang · 发表于 2023-7-27 17:17:36

BJ_Eric 发表于 2023-7-27 14:00
所以说，同样的工艺下，管子是一样的，只是金属走线的宽度不一样，金属走线更前，电流更大，Std cell的速 ...

工艺上，相同的device，工艺是一样的。7track 通常是指7倍于metal pitch 宽度，9track 通常是指9倍于metal pitch 宽度。但是通常metal布线的时候，不会通过增大metal线来降低IR drop来提升性能，9track相比7track，是前端MOS管可用高度变大。器件device 的驱动能力变强而来提升性能和速度。 Metal 走线变大之后，RC delay的效应会相互trade off，变粗后的R降低，但是Caps的影响变高，反而适得其反。。

ljh065216 · 发表于 2023-8-21 14:46:17

就是走线高度的区别吧

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