DNW工艺的nmos用做反相器仿真出现问题

Frappuccino · 发表于 2023-7-15 21:48:07

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在搭建反相器过程中，使用的是耐5v电压的MOS管，VS=5V,GS=0V。搭建的电路图如图1所示，其中左侧NMOS管用的是普通5v的，右侧使用的是DNW工艺的耐5V的nmos管（dni5）。在进行瞬态仿真时，出现如图2情况，发现右侧电路输出ZN高电平达不到5v，只有4.8多。这是为什么呢？求助！dni5管工艺说明如图3-4-5所示。其DC仿真参数：vth=-549.352m vdsat=3.37765v gm=791.178u .

图1

图2

图3

图4

图5

Frappuccino · 发表于 2023-7-15 22:03:54

在A输入0时，dni5管子会导通，那么电压就会被拉下来。那怎么办啊

ericking0 · 发表于 2023-7-16 16:30:23

这个是耗尽管！用DNW的增强管吧；

Frappuccino · 发表于 2023-7-18 09:56:12

ericking0 发表于 2023-7-16 16:30
这个是耗尽管！用DNW的增强管吧；

选用了这个管子，但是阈值相差不大！

andy2000a · 发表于 2023-7-18 13:18:46

耗尽管 vgate=0 開 , vgate 高反而關 . 你 invert 選 pmos + 耗尽管 nmos

輸入 =0 上面 pmos開. 下面耗尽管 nmos已開 , 輸出pmos跟耗尽管 nmos 分壓比 .

但當輸入高電為 pmos關 , 耗尽管 nmos也關掉阿 , 輸出未知吧 ??

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