无片外电容的LDO的负载瞬态响应

一叶方舟 · 发表于 2023-7-10 22:25:40

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对于无片外电容的LDO，其负载瞬态响应很不好，有什么方法可以实现快速瞬态响应吗？有没有前辈接触过这个，希望能够得到解答

castrader · 发表于 2023-7-11 08:18:20

理论上就是尽量增大带宽，实际上就是LDO自身消耗电流不能过低。

一叶方舟 · 发表于 2023-7-11 09:16:26

castrader 发表于 2023-7-11 08:18
理论上就是尽量增大带宽，实际上就是LDO自身消耗电流不能过低。

好的，感谢前辈

BraveTiger · 发表于 2023-7-11 09:23:15

castrader 发表于 2023-7-11 08:18
理论上就是尽量增大带宽，实际上就是LDO自身消耗电流不能过低。

前辈，LDO自身消耗电流不能过低是特指pass device 所在的支路吗？还是所有支路都要提升电流。

castrader · 发表于 2023-7-11 12:11:55

本帖最后由 castrader 于 2023-7-11 12:15 编辑

一般来说，这种负载的阶跃响应比较考验的是你的主极点的位置。

15111293203 · 发表于 2023-7-11 16:00:43

加个瞬态增强电路不加的话带宽就限制死瞬态了就只能通过加带宽去加瞬态但是加带宽代价又大

一叶方舟 · 发表于 2023-7-11 17:20:40

15111293203 发表于 2023-7-11 16:00
加个瞬态增强电路不加的话带宽就限制死瞬态了就只能通过加带宽去加瞬态但是加带宽代价又大 ...

现在电路的瞬态，过冲电压很大（几百mV）和稳定时间很长(几十us)，请问前辈，我采用的两级EA+PMOS，通常可以考虑哪些瞬态增强电路

jinjin0412 · 发表于 2023-7-12 22:36:26

（1）加个微分器，绕过EA直接响应到Pass device的gate；
（2）EA的GM是否可以考虑做分段，即输出与ref相隔甚远的时候增加尾电流；
（3）pass device的GD尝试并电容，没有任何策略比它更快的了；
（4）pass device在空载也耗较大电流，假设满载是100mA，让空载也耗1mA，size也选得很大使1mA和100mA对应的Vgs相差很小，这样环路反馈需要Vgate走的行程就很短，更容易到达。

以上4种方法可以都试试

liuxinyua · 发表于 2023-8-2 18:22:11

jinjin0412 发表于 2023-7-12 22:36
（1）加个微分器，绕过EA直接响应到Pass device的gate；
（2）EA的GM是否可以考虑做分段，即输出与ref相隔 ...

太感谢了！！！

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