IC版图如何绘制一个库里没有的新器件

wuguanglong · 发表于 2023-6-25 16:17:45

在tsmc180nm的工艺下如何绘制一个跟库里完全不同的器件并且过lvs呢？比如说两层金属直接覆盖在一起起到电容的效果，希望各位大佬指点！

esbwong · 发表于 2023-6-26 08:36:03

LVS 改 ruledeck, layout 定义 extra layer... 有点复杂

u12u34 · 发表于 2023-6-26 11:26:38

两层金属做电容的上下极板，中间的IMD作为电介质层。这种电容是MIM电容，你先看下标准单元库里的MIM电容是怎样的版图，他的标准单元器件为了区分常规金属与MIM电容肯定有特殊的识别层，你的自定义器件把识别mask套上，LVS起码能识别出你的器件。

fhy420462303 · 发表于 2023-6-26 11:38:12

要修改的东西有点多，而且流片的时候还需要额外确认，反正有点复杂，一般不建议这样子做！

wuguanglong · 发表于 2023-6-26 11:59:38

u12u34 发表于 2023-6-26 11:26
两层金属做电容的上下极板，中间的IMD作为电介质层。这种电容是MIM电容，你先看下标准单元库里的MIM电容是 ...

我根据rule里的规则做了，但是这也属于是跟库里的器件是一样的，那种新器件需要怎么绘制呢？

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