TSMC 40nm工艺提参为什么gate level与transistor level没有区别？

attika · 发表于 2023-6-19 11:47:30

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用的TSMC 40nm库里的crtmom_2t电容，提参时选了xcell文件，勾选了gate level，但是提参的结果与直接transistor level没有任何区别，我单独搭了一个200fF的crtmom电容进行测试，RVE结果里，仍然有接近200fF的寄生电容

有大佬遇到类似问题吗？

attika · 发表于 2023-6-19 12:26:25

xcell文件里确实是有crtmom_2t这个器件的，但是pex用gate level时不知为何就是没有将它屏蔽...查看Transcript窗口，发现有一行如下的Warning

我还试过别的电容，结果也是一样的，这种情况是不是rule文件出了问题？

莫名晴天 · 发表于 2023-6-19 14:15:19

attika 发表于 2023-6-19 12:26
xcell文件里确实是有crtmom_2t这个器件的，但是pex用gate level时不知为何就是没有将它屏蔽...查看Transcr ...

在xcell文件的这一行中加一个-P？

attika · 发表于 2023-6-19 14:31:40

莫名晴天发表于 2023-6-19 14:15
在xcell文件的这一行中加一个-P？

您好，是指在器件对应的model name后面加-P嘛？我试了一下好像还是不行

TanChengxin · 发表于 2023-6-20 08:58:16

有没有可能是重复提取了？

attika · 发表于 2023-6-20 11:05:50

TanChengxin 发表于 2023-6-20 08:58
有没有可能是重复提取了？

您好，是的，我检查了电容确实被重复提取了，好像单个电容是不能这样直接提参的，PEX会识别不出xcell里的器件造成重复提参

HL321 · 发表于 2023-6-21 14:58:51

重复抽取两个方法，1.xcell用gate level；2.用语句屏蔽mom的寄生，PEX IGNORE ...，对应使用transistor level抽取；可以试试

attika · 发表于 2023-6-25 13:27:11

HL321 发表于 2023-6-21 14:58
重复抽取两个方法，1.xcell用gate level；2.用语句屏蔽mom的寄生，PEX IGNORE ...，对应使用transistor lev ...

感谢回复，已经找到问题了，现在用gate level提取不会重复提参了

aman_zhang · 发表于 2023-6-25 16:48:57

attika 发表于 2023-6-25 13:27
感谢回复，已经找到问题了，现在用gate level提取不会重复提参了

可以分享下解决方法么

wbautumn · 发表于 2023-8-11 16:31:44

HL321 发表于 2023-6-21 14:58
重复抽取两个方法，1.xcell用gate level；2.用语句屏蔽mom的寄生，PEX IGNORE ...，对应使用transistor lev ...

请问 gate level 和transistor level 抽取寄生时的区别是什么呢？

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