这种情况的NMOS管是否存在耐压问题

tulipyjx

andy2000a 发表于 2023-6-7 08:35
存在风险 ,但是. 一般  VDS耐比较高些,  还是要跑完 HTOL . 别在老拿cascode 来说没问题.  代工厂 Foundar ...

谢谢，问过代工厂的技术支持，答复是1.1X2.5, HTOL 1000 HR是可靠性测试吗？在设计阶段，没法做可靠性测试啊。

tulipyjx

andyfan 发表于 2023-6-6 23:33
这个这么明显的问题，我还真没想过查什么PAPER；因为CASCODE NMOS在HV tolerance的IO里面是非常常见的结构 ...

感谢答复，我想知道过压的原则是什么，最多能过压多少，希望能有相应的理论支持，这些做设计时会比较放心，也能最大限度得到电路的最优性能。

tulipyjx

acging 发表于 2023-6-7 09:40
这是咨询fab给的答复，属于thermal breakdown吧。

谢谢！

andyfan

tulipyjx 发表于 2023-6-9 10:16
感谢答复，我想知道过压的原则是什么，最多能过压多少，希望能有相应的理论支持，这些做设计时会比较放心 ...

按你的那张图，VGB是2.5，VDS只有1.1，其实就没有过压；可靠性相关的，无非就是HCI或者NBTI（PBTI），都是和GOX相关的，你哪个完全是JUCTION的承压，而且肯定远没到击穿电压。JUNCTION要坏，也是击穿之后发生热击穿。所以我想不懂你要找什么文章？可靠性相关的？稍微思考下，就知道都不相关啊。

tulipyjx

andyfan 发表于 2023-6-9 16:28
按你的那张图，VGB是2.5，VDS只有1.1，其实就没有过压；可靠性相关的，无非就是HCI或者NBTI（PBTI），都 ...

也许没到击穿电压，但会不会影响寿命？

nihaobuhaoa

这是啥工艺呢

通常情况，25的IO MOS跟25OD33的IO MOS是同一种器件，只是最小length要求不一致
VBS，VBD这些耐压基本一致，没啥区别

andyfan

tulipyjx 发表于 2023-6-10 11:36
也许没到击穿电压，但会不会影响寿命？

你怎么还没明白啊，反正目前可靠性，影响寿命的就是HCI，NBIT/PBTI这些，你这都靠不上啊。还要怎么解释？

tulipyjx

andyfan 发表于 2023-6-10 19:15
你怎么还没明白啊，反正目前可靠性，影响寿命的就是HCI，NBIT/PBTI这些，你这都靠不上啊。还要怎么解释？ ...

如果不存在可能的耐压问题，为什么工艺厂通常会让芯片最高工作在额定电压 X 1.1.