这种情况的NMOS管是否存在耐压问题

tulipyjx

如图所示的NMOS管为耐压2.5V 的管子，在图中的电压情况下，是否能够正常工作而不影响其寿命？
主要是漏端与衬底之间的压差超过了2.5V，我担心这会影响其寿命。
我试图查找相关文献，并在网上搜索，都没有找到此类问题的解答，如果有哪位能指点一二，或告知有某论文对此进行过分析，本人十分感谢！

kenctd

PDK里面应该有关于VBS的耐压说明

castrader

应该问题不大，一般情况下VDB的耐压能接近甚至超过2倍的工作电压。

andyfan

这种基本没有问题，合理工作范围；1.1倍的压差主要还是关注在Gox上。Junction上可以远大这个的。

tulipyjx

andyfan 发表于 2023-6-6 16:43
这种基本没有问题，合理工作范围；1.1倍的压差主要还是关注在Gox上。Junction上可以远大这个的。 ...

谢谢！
我也这么想，1.1X额定电压的最大电压规定可能主要是对于栅源或栅漏电压而言，只是希望能有相关的论文或是数据支撑。
一些电路如果能够工作于junction之间的压差大一些的情况下，性能会有所提升，所以我很关心这个问题，也在能有100%的把握才敢让管子工作于这个范围。

acging

TSMC 2.5V管子，衬底的反偏diode最大耐压为8V左右，所以你这应该问题不大。

tulipyjx

acging 发表于 2023-6-6 19:13
TSMC 2.5V管子，衬底的反偏diode最大耐压为8V左右，所以你这应该问题不大。

谢谢， "衬底的反偏diode最大耐压为8V"这个信息在哪里可以查到？这个耐压值是avalanche multiplication 还是thermal breakdown voltage?

andyfan

tulipyjx 发表于 2023-6-6 16:59
谢谢！
我也这么想，1.1X额定电压的最大电压规定可能主要是对于栅源或栅漏电压而言，只是希望能有相关的 ...

这个这么明显的问题，我还真没想过查什么PAPER；因为CASCODE NMOS在HV tolerance的IO里面是非常常见的结构；业内一直这么用，我自己看的从0.18一直到22nm，都用了快20年了吧。

andy2000a

存在风险 ,但是. 一般  VDS耐比较高些,  还是要跑完 HTOL . 别在老拿cascode 来说没问题.  代工厂 Foundary 又不是同一个 . 大多数人用偷rule 不代表其他 foudary  不会出事, 谁知道你用哪家代工厂,   2.5v 管耐压问“FAB ”最准,   万一代工厂 FAB 说不保证.那就跑HTOL 1000 HR

acging

tulipyjx 发表于 2023-6-6 21:02
谢谢， "衬底的反偏diode最大耐压为8V"这个信息在哪里可以查到？这个耐压值是avalanche multiplication  ...

这是咨询fab给的答复，属于thermal breakdown吧。