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[原创] 版图填充式画法进来探讨

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发表于 2023-6-3 22:19:56 | 显示全部楼层 |阅读模式

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         版图风格千奇百怪,有一个填充式风格拿出来跟大家讨论讨论。
         如图所示,mos管source端和环上metal1有一大块接在一起形成一个填充的感觉,就取名填充式哈。我一开始是不喜欢这种风格,可能也是不习惯,感觉多余,我一般习惯就source的metal1直接上下拉到环上,或者用metal2接。
       后面的话,我听经验丰富的版图说建议这样画,因为来说首先是同一电源(不管vdd还是vss),这样一大块得接起来,连接更充分。同时我感觉说看起来也确实不错,一大块矩形,看着还是很舒服,看起来也不空。同时较为极端来说哈经常有metal密度问题在底层,如果这样画,因为很大一块嘛,它有可能就是底层就能处理掉金属密度drc,上到顶层之后,不用填充metai dummy也能过密度drc。
       之前也有说法是制造中,环境区域越相似越好制造。看见过别人7nm画没作连接的金属线,也保留在上面,用cut层隔开,并没做删减,就保持一截的悬空不连。
        填充式风格再说的话,假设源漏金属之间间距挺大,有伙计应该爱把金属盖大,卡住源漏金属最小距离,这也算填充,但是应该多数伙计不怎么做,我其实也不这么做,想的就是pcell调出来,源漏金属多宽就多宽连。
       这个风格的话,来源就是经验丰富前辈说,这里空着空着,不如补一块大的金属,给补齐。从掩模版得角度,不能说含量高,举例一个top metal画得很稀疏,一个画得很密集,就贵些,是按张数算的。所以最为极端的说法(想象的说法),填充式风格,一块芯片面积区域,所有层次铺满,把不能出现在对应区域的层次删除,如pmos放的位置,把n注入抠掉,把金属部分等等等等抠出来,所有层次不打架。这样就是最饱满的填充式风格定义。
       大家各抒己见。

微信图片_20230603213127.png
发表于 2023-6-4 09:30:17 | 显示全部楼层
平常在画的时候,有部分也是采用这种方法。要求减少一些拐角之类的问题,各有各的好吧
发表于 2023-6-4 10:06:10 | 显示全部楼层
版图确实各有各的画法,一般看最终的性能决定
发表于 2023-6-4 20:08:39 | 显示全部楼层
很多版图只求美观,芯片尺寸缩不下来,里面又到处空一大片,后面补各种密度。
发表于 2023-8-15 16:43:44 | 显示全部楼层
有流过的片吗?
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