LDO在轻载和重载的情况下

一叶方舟

看到一句话，“采用Nmos管，相比Pmos管，输出电阻要低得多，近似为1/gm，而pmos为Rds。输出极点Pout随负载变化，EA输出极点Pea相对变化小一些（miller电容相受影响）。重载时，输出极点高，可以稳定。轻载时，1/gm变大，Pout处于低频，两个极点靠的很近，需要补偿。
至于补偿方法应该要看运用场合吧。ESR补偿应该可以的。VCCS。其他的补偿方法应该也可以解决。至于极点随负载变化，这是LDO的特性。需要保证所有负载情况下均满足稳定性要求。我的思路是补偿相对稳定的Pea，这样就算Pout随Iout变化，也是单极点，稳定性可以满足。”
我有两个问题，希望各位大神能够解答一下


1、这里的负载不是指负载电流吗，负载比较大，为什么会影响输出阻抗
2、输出端的极点随负载变化避免不了，轻载时是最差的情况吗？上面说的后面一句话“需要保证所有负载情况下均满足稳定性要求，补偿相对稳定的Pea，这样就算Pout随Iout变化，也是单极点，稳定性可以满足”是什么意思，不太理解

lilili1234

1. 输出管P或者NMOS的rds (约等于1/lambda*Ids)和gm都会受Iout的影响，负载大(Iout大)的时候输出电阻(1/gm或者rds)就会变小 2.在这里似乎意思是主极点为Pea，在重载情况下ldo输出电阻小，次极点Pout的位置离Pea很远，此时相位裕度很大；但当轻载的时候，如1.中所说的，ldo的输出电阻会变大，Pout很可能会变得很靠近主极点，这样的话相位裕度会很小就不稳定，就需要补偿让这个系统在最坏的情况下(重负载)也能满足稳定性

一叶方舟

lilili1234 发表于 2023-6-3 16:06
1. 输出管P或者NMOS的rds (约等于1/lambda*Ids)和gm都会受Iout的影响，负载大(Iout大)的时候输出电阻(1/gm ...

谢谢大神，我明白你的意思，非常感谢

lenomon

楼主有什么补偿轻载时候的方法吗，我最近在做的LDO就遇到了这种情况