一个芯片是1.8V 供电，他的通信需要支持3.3V的I2C

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想请教个问题 一个芯片是1.8V 供电，他的通信需要支持3.3V的I2C，那么这个芯片咋做IO/esd呀 ，正常做的话esd会导通
对电源的esd扩大成 串3并3的方式吗，这样理论上esd会变原来的5倍，有更好的方法吗
可以用下图的方法做吗 ，可否过HBM2000V

esbwong

I2C pins不用diode到1.8v

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esbwong 发表于 2023-6-1 11:47
I2C pins不用diode到1.8v

那HBM会不会有风险呀

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esbwong 发表于 2023-6-1 11:47
I2C pins不用diode到1.8v

我有点懂你的意思了 ，只是用一个对gnd 的diode来抗对吗，  然后正zap的时候用diode的可恢复雪崩击穿来硬抗？

esbwong

谁告诉你你需要 diode 到1.8v

esd discharge 可以通过gnd side..

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esbwong 发表于 2023-6-1 14:10
谁告诉你你需要 diode 到1.8v

esd discharge 可以通过gnd side..

diode breakdown电压是8V， 确定不会打坏内部的IO？

kanchiam

正常的ic還是會有兩種電

一種是core voltage
一種是io voltage
這之間有level shifter電路
如果真的只能用一種電壓
就選高的
低的用ldo轉下來3.3->1.8

esbwong

没人我来顶 发表于 2023-6-5 08:53
diode breakdown电压是8V， 确定不会打坏内部的IO？

1.8v I/O 使用8v input diode? 错误用法

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kanchiam 发表于 2023-6-5 08:59
正常的ic還是會有兩種電

一種是core voltage

芯片端只有1.8V电压呀， 3.3在master那边

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esbwong 发表于 2023-6-5 11:20
1.8v I/O 使用8v input diode? 错误用法

前辈你的思路我一直没跟上

首先 如果要过VDD对 IO的pad打正zap 2000V，  IO需要一个正向通路吧，不然电压就降不下去， 所以应该是让（pad与VSS之间）diode发生breakdown然后实现泄放通路对吧？
如果思路一样，你是再说需要使用低breakdown的diode对吗
我仿真了一些tsmc18所有的diode，最低发生breakdown电压的类型是 P+/NW diode  也是10V左右
那请问应该用什么diode