0.9V工艺下的运放设计输入对管选择

708846615 · 发表于 2023-5-29 23:41:13

想做一个OIP3比较高的运放在低压下输入对管如果用NMOS做的话就会进入亚阈值区，用PMOS的话进入饱和区，用pmos的话会不会OIP3更好一点，新手诚心求教
电路类型就是最简单的两级全差分运放（五管+classAB）

peterlin2010 · 发表于 2023-5-30 06:00:07

first 0.9v chargePump -> 1.8v

kswlymqq · 发表于 2023-5-30 12:47:51

先进工艺下很多东西都不能用旧经验分析，你还是把gm3(3次谐波跨导)和偏置的关系仿出来，用gm/id方法设计比较好。直接分析工作在哪个区意义不大（0.9V工艺一般不会让晶体管工作在强反型区，Vgs太大了，直流电平不协调）最后，我印象里，OIP3输出级占大头吧，不用跟输入级太较劲。

708846615 · 发表于 2023-6-15 17:43:45

kswlymqq 发表于 2023-5-30 12:47
先进工艺下很多东西都不能用旧经验分析，你还是把gm3(3次谐波跨导)和偏置的关系仿出来，用gm/id方法设计比 ...

感谢解答

andy2000a · 发表于 2023-6-15 17:54:25

kswlymqq 发表于 2023-5-30 12:47
先进工艺下很多东西都不能用旧经验分析，你还是把gm3(3次谐波跨导)和偏置的关系仿出来，用gm/id方法设计比 ...

先进工艺低压下会如何设计 input stage ? 先进工艺 mos vt 也还是不小, low vt 也有vth , 还是说input会改用native mos ?

luker95 · 发表于 2023-6-15 18:26:27

同意3楼

nanke · 发表于 2023-6-16 09:41:34

andy2000a 发表于 2023-6-15 17:54
先进工艺低压下会如何设计 input stage ? 先进工艺 mos vt 也还是不小, low vt 也有vth , 还是说inpu ...

一般普通低压mos就能满足，就让mos处于亚阈值区。模拟电压一般不会像digital那样0.5 0.6 那么低。也有avt的mos，阈值很低，gmro也比native mos好很多。

andy2000a · 发表于 2023-6-16 11:59:59

nanke 发表于 2023-6-16 09:41
一般普通低压mos就能满足，就让mos处于亚阈值区。模拟电压一般不会像digital那样0.5 0.6 那么低。也有avt ...

也有avt的mos，阈值很低，gmro也比native mos好很多。
=> avt ??

low vt ?

native mos ??

nanke · 发表于 2023-6-16 12:25:30

andy2000a 发表于 2023-6-16 11:59
也有avt的mos，阈值很低，gmro也比native mos好很多。
=> avt ??

是AVT，专门给analog用的，我在t22有用过，好像要多一层mask，finfet工艺是否有就不清楚了。 native mos不需要额外mask.

andy2000a · 发表于 2023-6-16 13:22:38

nanke 发表于 2023-6-16 12:25
是AVT，专门给analog用的，我在t22有用过，好像要多一层mask，finfet工艺是否有就不清楚了。 native mos ...

我只知道一般分Vt , low Vt , zero Vt , native MOS

某些bcd 还有种depletion NMOS .

看来22nm 下还分数码管mos vth , 和analog 专用mos ,

那analog 专用mos AVT 特别在哪?

Vth 会比数码管低多少?

https://bbs.eetop.cn/thread-928837-1-1.html

Gate leakage 会有 model 吗 ?

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