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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › Analog/RF IC 设计 › Analog/RF IC 设计讨论 › 关于过温保护电路
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查看: 1710|回复: 7

[解决] 关于过温保护电路

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Maons
发表于 2023-5-25 19:27:08 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 Maons 于 2023-5-25 20:12 编辑

搭了一个CMOS实现的过温保护电路，利用亚阈值区产生PTAT电流，

但是温度阈值随工艺角波动太大，tt和ss、ff有超过30°的差异……


请教一下各位大佬，这是电路结构的缺陷还是参数设计的缺陷？？

犹豫要不要换结构了……因为希望功耗小于5uA，又不敢用寄生BJT

参考一篇论文搭的过温保护

参考一篇论文搭的过温保护
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ericking0
发表于 2023-5-25 20:10:06 | 显示全部楼层
要精度，还是上BJT吧；
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Maons
 楼主| 发表于 2023-5-25 20:12:45 | 显示全部楼层
已经发现问题原因了，是进行温度判断的那个管子的沟道长度太短了

怀疑是短沟道效应的影响……
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自由的路飞
发表于 2023-5-26 09:32:46 | 显示全部楼层
你这个电路肯定有问题的 你把过温度保护的公式写一下就知道为什么偏差那么大了
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sprlove
发表于 2023-5-26 10:05:04 | 显示全部楼层
5uA用BJT可以实现的
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Maons
 楼主| 发表于 2023-5-26 21:23:47 | 显示全部楼层


自由的路飞 发表于 2023-5-26 09:32
你这个电路肯定有问题的 你把过温度保护的公式写一下就知道为什么偏差那么大了 ...


目前随电源电压偏差小，随工艺角偏差比较大
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Maons
 楼主| 发表于 2023-5-26 21:26:01 | 显示全部楼层


sprlove 发表于 2023-5-26 10:05
5uA用BJT可以实现的


有什么推荐的结构吗，感觉用CMOS的BJT和很低的电流，实现出来特性不太好
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sprlove
发表于 2023-5-29 10:15:18 | 显示全部楼层


Maons 发表于 2023-5-26 21:26
有什么推荐的结构吗，感觉用CMOS的BJT和很低的电流，实现出来特性不太好
...


你只需要用的CMOS工艺中的PN结就可以，做出来肯定比你用CMOS阈值电压做出来的好很多
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