SiC碳化硅和IGBT在使用上的区别

gday1mate · 发表于 2023-5-25 17:32:49

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小弟最近有一个疑问，就是芯片在负载SiC碳化硅和IGBT的时候对芯片要求的区别在哪里？论坛中没有搜到清晰的结果，望大佬不吝赐教！

近期碳化硅越来越火爆，碳化硅在能源转换效率上有明显的优势，但是不易于与BCD、CMOS工艺集成，但是碳化硅单管作为芯片的负载使用的场景后续可能越来越多，所以想看电路上需要做什么相应的修改，有没有特殊的参数需要注意。
万分感谢！！！！！！！
提前在这里膜拜大佬了！

andy2000a · 发表于 2023-5-26 08:47:38

Sic mos BV > 1KV

MOS spped >100K , but BV < 800v

Gan high speed 500k ~ 1000k

IGBT 慢速 20~50K

gday1mate · 发表于 2023-7-28 15:35:33

感谢大佬

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