异质结器件和应变硅的关系

wjyjh

以sige为例 是不是sige HBT中主要用到了异质结的特性，finfet中应变硅技术主要是用到了sige这种材料本身的特性呢？
可能说的不太清楚，就是在查sigeHBT相关材料，说是NPN  HBT器件异质结阻碍空穴从基极向发射极移动，   而应变硅材料又说在s/d区域外延sige会增加空穴迁移率，这是为什么不一样呢，求助一下各位大佬

powerboy711

从你的描述中，你没发现区别么？NPN空穴是从基极向发射极移动，穿过结；FINFET是MOS管，空穴移动不穿过结，在沟道部分连接从D到S,所以我想差别就在这里，跃迁需要能量，没做过类似产品，只是从问题描述中猜测的，如果不对欢迎指正。