接地的pnp环隔离的原因是什么

霍比特美凌格

ESD器件周围用接地的pnp环做隔离的原因是什么？

fei_SH

减小latchup风险。

霍比特美凌格

fei_SH 发表于 2023-5-5 17:11
减小latchup风险。

展开说说呢？nwell接地后nwell已经没有对载流子的吸收能力了啊

powerboy711

霍比特美凌格 发表于 2023-5-6 10:27
展开说说呢？nwell接地后nwell已经没有对载流子的吸收能力了啊

如果从载流子角度解释，nwell不只有吸收的作用还有阻挡的作用，因为载流子分多子和少子

fei_SH

霍比特美凌格 发表于 2023-5-6 10:27
展开说说呢？nwell接地后nwell已经没有对载流子的吸收能力了啊

通常N环是接高的。如果接地了 ，那可能是端口会抽负压，N环接地是防止抽负压的时候从内部N抽电流，减小影响。

gan_punk

fei_SH 发表于 2023-8-15 17:13
通常N环是接高的。如果接地了 ，那可能是端口会抽负压，N环接地是防止抽负压的时候从内部N抽电流，减小影 ...

N 接高了就需要额外拉开space了，我现在做法都是PNP软接地，不知道有没有什么更好的办法？或者N通过电阻接高压，但是电阻的取值还是没有经验，有个项目就是电阻取小了，刚好2kV fail了

沐风彡

gan_punk 发表于 2023-12-13 19:39
N 接高了就需要额外拉开space了，我现在做法都是PNP软接地，不知道有没有什么更好的办法？或者N通过电阻 ...

我有一个疑问
以NMOS为例，通常用接地的P环来吸收来自衬底的多子，用接高压的N环来吸收来自衬底的少子。如果N环接地，和衬底形成的是一个正偏的PN结，是无法吸收来自衬底的少子的，这样岂不是失去了防止闩锁的作用？

gan_punk

沐风彡 发表于 2023-12-15 17:32
我有一个疑问
以NMOS为例，通常用接地的P环来吸收来自衬底的多子，用接高压的N环来吸收来自衬底的少子。 ...

S. Gupta, et al (PolarFab, MN), “Improved Latch up Immunity in Junction Isolated Smart Power ICs with Unbiased Guard
Ring”, IEEE Trans Electron Devices , vol. 22, no.12, December, 2001

LJH111

fei_SH 发表于 2023-8-15 17:13
通常N环是接高的。如果接地了 ，那可能是端口会抽负压，N环接地是防止抽负压的时候从内部N抽电流，减小影 ...

你说的这个ESD器件是NMOS吗？guardring pnp中的nwell为什么要接地？那p接的什么？或者说你使用的是active guardring 第一级p接VSS 之后n和p短接？放下示意图看看。