BCD工艺中DN和DNW的区别

活着 · 发表于 2023-4-26 08:52:28

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本帖最后由活着于 2023-4-26 11:30 编辑

QQ截图20230426084542.png

如图所示，请教一下各位。这个是30v的n管。TB就是nw，这里面TB和DN的(NW和DNW)区别是什么？是单纯的深度不一样，还是浓度也不一样。他这么做的目的，是提高d端耐压吗？怎么来实现提高耐压的？求大佬能解答一下

powerboy711 · 发表于 2023-4-26 09:13:38

是DN和nw；还是DN和DNW?

yjj_123 · 发表于 2023-4-26 09:30:21

看看这里关于LDMOS的描述

活着 · 发表于 2023-4-26 11:28:04

powerboy711 发表于 2023-4-26 09:13
是DN和nw；还是DN和DNW?

打错了不好意思

活着 · 发表于 2023-4-26 11:31:45

yjj_123 发表于 2023-4-26 09:30
看看这里关于LDMOS的描述

好的谢谢

powerboy711 · 发表于 2023-4-26 13:35:31

DNW 的D就是deep，所以深度比NW深，一般浓度比NW低，目的的确是提高D端耐压，因为相当于增加了漂移区电阻，在D端串联个电阻

Lcy_001 · 发表于 2023-4-26 13:47:34

yjj_123 发表于 2023-4-26 09:30
看看这里关于LDMOS的描述

非常感谢，真的u有用

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