mim电容连接问题

houlang · 发表于 2023-4-23 20:33:58

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本帖最后由 houlang 于 2023-4-23 20:43 编辑

还请大家帮忙看一下，我在画电容版图的时候遇到了以下两个问题迟迟找不出解决办法。

这是我画的mim15电容，我需要画一个5p左右的电容，所以需要9个mim15电容并联。用到了金属5层mim层和金属6层，我不知道我这样画是否正确，还请大佬指导一下。

maomao198477 · 发表于 2023-4-24 09:12:59

你这不是短接了？

houlang · 发表于 2023-4-24 10:51:18

maomao198477 发表于 2023-4-24 09:12
你这不是短接了？

没有吧，我是用金属6分别将9个mim电容VDD和GND连接起来，左右侧的金属线5距离是够的，在电容区域不含金属5层以下的金属层

李幕白 · 发表于 2023-4-24 14:44:19

是不是左右两条线离电容太近了。电容的其他层有全都打开嘛/

houlang · 发表于 2023-4-24 15:42:38

李幕白发表于 2023-4-24 14:44
是不是左右两条线离电容太近了。电容的其他层有全都打开嘛/

左右金属线5距离电容金属5层有1.5u距离，距离电容mim层有1.9u的距离，这距离不知道有没有问题（用的.13工艺）。请问一下电容其他层全部打开什么意思？

李幕白 · 发表于 2023-4-24 16:13:20

houlang 发表于 2023-4-24 15:42
左右金属线5距离电容金属5层有1.5u距离，距离电容mim层有1.9u的距离，这距离不知道有没有问题（用的.13工 ...

就是打孔啊连接先都得在识别层外面，你说的1.5U啊其实这个数据告诉我没有意义，应该参考是否是在识别层外，识别层就是我说的其他层。（不同工艺不一样，可能你这的电容确实没有那个识别层）不管怎样，如果你把连接线那些拉更远一点是否有助于判断错误。

houlang · 发表于 2023-4-24 16:50:10

李幕白发表于 2023-4-24 16:13
就是打孔啊连接先都得在识别层外面，你说的1.5U啊其实这个数据告诉我没有意义，应该参考是否是在识别层 ...

你提到的标识层应该是MIMDMY层吧
“MIMDMY is the DRC marking layer for active MIM, which must not include dummy MIM.”
这层我是有的，打孔都是在MIMDMY层外面。我刚刚试了一下重新将电容从schematic转成layout这两个问题依旧存在（在没连线的情况下），是不是我电容本身就有问题啊