版图PP层和NN层的问题

NJYYFC · 发表于 2023-4-23 11:14:04

两个宽度不一样的P管放在一起了为了过DRC补了一块PP（红框内）后仿过了但流片的话会有其他潜在的影响吗

cxchust · 发表于 2023-4-23 11:14:05

从源头开始说，和你这个问题相关的有以下几个问题，搞清楚这几个问题我想你也就有了你需要的答案。

1、什么是场氧？
场氧是指硅衬底上的SiO2氧化层，由于它比较厚也叫厚氧，可以对离子扩散、注入起阻挡作用。

2、什么是有源区？diffusion？
有源区是场氧（厚氧）的开槽，它上面也会有一层薄氧（thin oxide），可以用来形成多晶硅下的栅氧，在多晶硅栅MOS工艺流程中是先形成poly栅再进行源漏掺杂的（该操作可以使源漏和poly 沟道自对准），实际进行掺杂的区域我们叫它diffusion（Ndiffusion/Pdiffion），很显然有源区并不等于diffusion，而是包含关系。

3、什么是PP/NN？
PP是指P型注入/扩散区，又称pplus、p-implant；NN指N型注入/扩散区，又称nplus、n-implant。
PP和NN其实是在硅片衬底上划定的一个区域，用来限定离子扩散/注入的操作范围，为了使有源区的边边角角完全完成掺杂，那么这个限定的操作范围就必须比有源区大，包含全部有源区，这就是版图中pp要比diffusion区域大的原因，pp是同时覆盖有源区和部分场氧的。这么说，假设你只想在硅衬底上做1个PMOS的话，确定有源区后你甚至可以把pp铺满整块硅片（就是有点浪费掺杂离子源），但就是不能比有源区小!

来打个比方，假设你家院子全是水泥地，这可以比作场氧，你想在上面敲掉一块水泥把下面的土漏出来用来种菜，这种菜的区域就是有源区，这种上的菜就是掺杂，种不同种类的菜就是不同的掺杂类型。那你撒种子的时候为了保证每一寸土壤都被种子覆盖，种子就难免会撒到水泥地上，你撒种子的这个范围就是pp/nn的范围，当然你可以把种子撒满你的院子，但只有土壤区域会长出菜苗...

综上所述，你提问中补的这一小块pp就是为了满足fab drc要求的pp包diffusion最小范围，fab已经过多次验证应该不会有什么问题，但是为了使diffusion掺杂更加完美、更加保险，你可以把pp适当的画的更大，包的更多。

希望能为你解惑。

maomao198477 · 发表于 2023-4-23 11:15:01

没有问题啊

李幕白 · 发表于 2023-4-23 11:21:13

建议可以盖大一点，使得这个layer成为一个方形。

ZN0001 · 发表于 2023-4-23 11:31:42

可以按照最大的补成一个整体的长方形

光非 · 发表于 2023-4-23 11:35:14

把plus补上没问题，或者尽量补成一个规则的图形。尽量不要有单独的小块的plus或者太细的长条，在光刻时，胶有可能会倒，刻的时候就会出问题，导致会影响周围的器件。

maomao198477 · 发表于 2023-4-23 13:35:11

drc OK 就OK

pretty_hh · 发表于 2023-4-23 19:19:55

考虑下依小的Pmos PP宽度来补，是不是会更好一点~~

powerboy711 · 发表于 2023-4-24 09:06:42

不要担心，你把周围的PMOS管的PP拉齐都没有问题

ZN0001 · 发表于 2023-4-24 11:37:42

cxchust 发表于 2023-4-24 11:12
从源头开始说，和你这个问题相关的有以下几个问题，搞清楚这几个问题我想你也就有了你需要的答案。

这个比喻很中肯呀

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