ESD mos如何繪製成DUMMY

level90 · 发表于 2023-4-25 09:32:28

本帖最后由 level90 于 2023-4-25 09:36 编辑

powerboy711 发表于 2023-4-25 09:17
floating poly会有电荷存在，状态可以为高也可以为低，因为没有通路也会保持该状态。外界能量也可以改变f ...

powerclamp主流有
普通 GGNMOS/GPPMOS <- 利用瞬时击穿D端开启横向寄生BJT 放电，但因为均匀开启的问题逐渐被取代（有时候还是会用）
GCMOS（也就是你所说的RC结构）<- 实际是在第一种基础上，降低Vt，相对于第一种可以更均匀开启，但废面积。并不是mos导通放电
GDMOS <- RC驱动inv驱动gate开启。这种才是mos导通放电。

“宽漏端不对称结构” 一来是为了均匀分布电荷，二来会配合SAB拉大漏端电阻。提高耐压能力。
均匀导通（实际只是开启寄生BJT，并不是导通）是通过RC来实现的

powerboy711 · 发表于 2023-4-25 09:58:30

level90 发表于 2023-4-25 09:32
powerclamp主流有
普通 GGNMOS/GPPMOS

你说的很全面，可能是叫法不一样，我们只把最后一种叫power calmp，其他两种称做ESD

SAB相当于在每个漏端串联个小电阻，可以提高漏端耐压，也可以限流，来实现均匀导通

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