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楼主: 0103

[原创] Finfet工艺中差分对的匹配

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发表于 2024-1-18 14:47:19 | 显示全部楼层
小工艺(7nm)A B仿真的效果最好
发表于 2024-2-2 15:03:22 | 显示全部楼层


hebut_wolf 发表于 2023-6-19 10:50
现在比较先进的工艺(65nm以下)都不能用ABBA型匹配了,主要原因是WPE效应和STI效应,这两个效应导致边上 ...


你好,WPE\STI,我知道这两个二级效应,但我疑问反而更大了,ABBA/BAAB和ABAB/BABA,它们不都是有两个A和两个B到WELL边缘比较近吗?以及我加上dummy和它们共用之后,WPE的影响也会变小吧?然后STI,我们一般差分对管以及它的dummy都是采用共用的方式,因此STI理论上来说不应该是消除了的吗?
发表于 2024-2-2 15:43:31 | 显示全部楼层
本帖最后由 xdlaizq 于 2024-2-2 15:44 编辑

一家之言,请勿喷我。
在我看来,aaaa bbbb ,abab baba和abba baab总的来说是工艺误差和性能要求造成的,当工艺很大的时候,器件与金属的绝对误差很大(也包括二阶效应),这种误差又无法控制,所以采取两者轮流交替位置,来达到一种平衡(大家都受损,就等于都没受损),因为使用dummy太昂贵了,器件都很大所以优先使用abba baab,而到了40以下,器件的二阶效应影响是固定了,但是金属线工艺误差和寄生影响却直线上升,于是大家开始思考线的规划,就是所谓的abab baba,而到了12以下,金属线比管子更重要,寄生已经是决定生死的东西,线与线的串扰才是最头疼的东西仿真无法体现,却又实际存在,于是变出现了aaaa bbbb,面积已经是最不重要的了,如何拿出一套成熟的避免机制才是各大公司的热点

点评

大佬解释的很好,现在我们小于5um的pair基本都half/half,大的pair会视情况而定。还有一些电流镜array,大电流的加持下,只能a b c,走线空间确实很宝贵  发表于 2024-3-27 17:51
发表于 2024-2-4 09:40:34 | 显示全部楼层
感谢大神们的总结!
发表于 2024-2-5 13:57:54 | 显示全部楼层
感谢
发表于 2024-2-7 10:43:44 | 显示全部楼层
学习了,谢谢!
发表于 2024-2-7 13:47:47 | 显示全部楼层
不能只是看ABBA或BAAB 先要考慮你要的是電壓Matching或電流Matching
发表于 2024-2-18 15:43:52 | 显示全部楼层
ABAB ABBA
BABA BAAB
论坛上看得匹配方法
发表于 2024-2-18 16:13:08 | 显示全部楼层


layer先生 发表于 2024-2-2 15:03
你好,WPE\STI,我知道这两个二级效应,但我疑问反而更大了,ABBA/BAAB和ABAB/BABA,它们不都是有两个A和 ...


我猜的哈,ABAB/BABA相比ABBA/BAAB,从LOD的角度上来讲,前者优于后者,这两种二维布局还有一点可能就是上下两排之间的应力差,ABAB/BABA上下两排都有AB在外侧,ABBA/BAAB则上排都是A在外侧,下排都是B在外侧,如果下排受到的应力较大于上排,那么ABAB/BABA就会有优势一些
发表于 2024-2-19 09:34:17 | 显示全部楼层
主要考虑lod和走线的寄生,abab或者aabb能好点,具体还是看电路要求
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