紫外线 Fuse 跟以前有何不桐阿

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现在Ultraviolet-based   紫外线 Fuse 跟以前有何不桐阿

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A Novel Gateless P-Channel OTP cell For Logic NVMApplication

邱欣怡

本论文提出一新型p通道内嵌式无闸极记忆胞结构，此记忆胞优点包括：制程歩骤简易，完全和先进的90奈米CMOS逻辑制程技术相容，具有比传统One-TimeProgramming(OTP)还快的元件编程与读取能力，低功率消耗特性，以及可紫外光抹除此P通道内嵌式无闸极记忆胞之储存点是建立在一寄生的ONO结构，ONO结构由氧化层(Resistor-Protection-Oxide，简称RPO)，接触蚀刻停止层(ContactEtching Stop Layer，简称CESL)，和内部间介电层(Inter Level Dielectric，简称ILD)组成。无闸极记忆胞包含一无闸极储存点，与一选择电晶体，适合NOR阵列操作。此新提出之记忆胞的编程操作机制是使用通道热电洞引发热电子注入，利用紫外光照射完成抹除操作。本论文同时利用二维制程及元件模拟器进行元件特性验证。经量测结果证明，所提出之新型p通道内嵌式无闸极记忆胞相较于传统OTP记忆体有相当大的改进及制作成本上的优势，可广泛应用在内嵌式的非挥发性记忆体上。