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[求助] 一种PMOS作功率管的双环LDO

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发表于 2023-4-13 16:56:08 | 显示全部楼层 |阅读模式

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VDD=3.3v, Vb1=800mV, Vbias=700mV, Vref1=Vref2=1.2V.现在就是能稳压在1.8V但是负载电流只能带起5mA以内的,图中红圈中的管子调不到饱和区一直处于线性区,请问大佬们该如何改进?
双环.png
发表于 2023-4-14 09:23:17 | 显示全部楼层
R0的阻值太小了
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发表于 2023-4-14 09:28:57 | 显示全部楼层
M3和M4的电流镜连错了吧,这样连M4永远不会进饱和区
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 楼主| 发表于 2023-4-14 09:49:43 | 显示全部楼层


   
南岭小小生 发表于 2023-4-14 09:28
M3和M4的电流镜连错了吧,这样连M4永远不会进饱和区


按照论文里搭的应该不会错呀
LDO-P.png
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发表于 2023-4-14 10:08:07 | 显示全部楼层


   
TJCcici 发表于 2023-4-14 09:49
按照论文里搭的应该不会错呀


学生的毕业论文出错是正常的,M11饱和的条件是它的VG-VD<VTH,这样连的话VG-VD=IR1+VGS9,这个值只要有电流是不会小于VTH的,你把M11的栅极接在R1的下端,把M9的栅极接在R1的上端看看
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 楼主| 发表于 2023-4-14 10:18:53 | 显示全部楼层


   
南岭小小生 发表于 2023-4-14 10:08
学生的毕业论文出错是正常的,M11饱和的条件是它的VG-VD


大佬太强了!
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发表于 2023-4-14 10:20:41 | 显示全部楼层
大佬
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发表于 2023-4-14 10:22:38 | 显示全部楼层


   
TJCcici 发表于 2023-4-14 09:49
按照论文里搭的应该不会错呀


M9的gate应该接电阻R1的上端,M11应该接电阻R1的下端。要给M11的Vds留下空间,就要让M9的gate电压比M11的gate电压更高。
论文中的图有可能会画错的

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 楼主| 发表于 2023-4-14 10:22:53 | 显示全部楼层


   
sx_2010 发表于 2023-4-14 09:23
R0的阻值太小了


确实,我改好结构之后,增大R0阻值确实优化了
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发表于 2023-4-14 10:24:09 | 显示全部楼层


   
TJCcici 发表于 2023-4-14 10:18
大佬太强了!


我是菜鸡,这是相当常见的结构,他应该画图时粗心画错了
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