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查看: 3077|回复: 19

[求助] RDAC的DNL与INL后仿性能较差

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发表于 2023-4-12 22:04:47 | 显示全部楼层 |阅读模式
1资产
各位伙伴,麻烦帮忙一起解决看一下!设计了一个9bit的RDAC,使用了纯电阻设计,电路简单!  分辨率大概0.32℃/code,高4bit hot code, 低5bit binary code,
低五位的MOS开关数与线性度的折中。前仿DNL与INL都在0.5个LSB左右,但是后仿的时候,在低bit往高bit跳变的时候发现DNL突然变大,即从000,001,111跳变到000,010,000时,DNL增加至1个LSB,INL突然大幅下降。后仿分析发现是寄生电阻过大导致的,但是经过估算对于DNL、INL有影响的寄生电阻都是在接受范围之内的。每条支路的电压以及电流的变化后仿也没有问题,请大家帮忙看看是什么问题导致的,非常感谢!

低bit电路

低bit电路

前仿DNL、INL

前仿DNL、INL

后仿(RC)DNL、INL

后仿(RC)DNL、INL

影响线性度的主要连线的电压变化

影响线性度的主要连线的电压变化

连线电压

连线电压

RDAC的输出异常点

RDAC的输出异常点



 楼主| 发表于 2023-4-14 21:26:07 | 显示全部楼层
对于一些重要的的连线需要额外注意layout出PIN的位置,RDAC的线性度不满足要求的原因就是因为IDAC出PIN的位置离电阻较远,靠近开关MOS的源极,因此BG灌入电流时,需要经过一小段金属连线再到电阻,而金属连线宽度较小并且长度较长,会有比较大的寄生阻抗,导致VDAC的输出会与实际相差较大,影响RDAC的线性度 RDAC_S1.png RDAC_S2.png
发表于 2023-4-13 09:29:11 | 显示全部楼层
图上标注的1ohm是一个 LSB 1欧姆的意思吗
 楼主| 发表于 2023-4-13 10:08:26 | 显示全部楼层


MNJR 发表于 2023-4-13 09:29
图上标注的1ohm是一个 LSB 1欧姆的意思吗


不是的,一个LSB是(10uA*2K)/32,那个0.1欧姆是我leader标记的连线阻抗要小于1,但是基本不可能,Metal方块电阻都在0.5欧姆了,根据我的验证连线电阻不超过10欧姆都可以满足要求
发表于 2023-4-13 11:48:32 | 显示全部楼层
想问一下你是怎么仿真DNL和INL的,能看看公式或者教程吗
 楼主| 发表于 2023-4-13 13:54:52 | 显示全部楼层
本帖最后由 Cx_1221 于 2023-4-13 14:11 编辑


cscs0120 发表于 2023-4-13 11:48
想问一下你是怎么仿真DNL和INL的,能看看公式或者教程吗


DNL设置说明

DNL设置说明

DNL设置示例

DNL设置示例

我的DNL的设置,INL类似

我的DNL的设置,INL类似


RDAC的输出是VDAC,先仿真DC,得出VDAC的数值,然后在calculator的公式里面找到DNL、INL,设置如上;我也不知道是否通用,我的DNL、INL是这样仿真的,仅供参考

发表于 2023-4-13 14:02:15 | 显示全部楼层


Cx_1221 发表于 2023-4-13 13:54
RDAC的输出是VDAC,先仿真DC,得出VDAC的数值,然后在calculator的公式里面找到DNL、INL,设置如上;我 ...


我最近也是在用这个公式仿真,但对里面的参数还不太理解,我是这样设置的:
setting.png
仿出来的结果感觉很奇怪:
res.png
 楼主| 发表于 2023-4-13 14:21:27 | 显示全部楼层


cscs0120 发表于 2023-4-13 14:02
我最近也是在用这个公式仿真,但对里面的参数还不太理解,我是这样设置的:

仿出来的结果感觉很奇怪:


我也不是很懂,你仿真步数弄大一点,阈值改为0,no of samples设置为nil,试一试?
发表于 2023-4-13 14:29:45 | 显示全部楼层


Cx_1221 发表于 2023-4-13 14:21
我也不是很懂,你仿真步数弄大一点,阈值改为0,no of samples设置为nil,试一试? ...


好的,谢谢
 楼主| 发表于 2023-4-14 19:53:40 | 显示全部楼层
本帖最后由 Cx_1221 于 2023-4-14 21:27 编辑

RDAC_S1.png RDAC_S2.png 解决了,是layout的一个出PIN的问题
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