看 process 有没有 +/- 负压 , 高压正负压工艺 ,其 psub可以给负电压 , 缺点是因 PSUB 很大一整块. 一开始 打到负电压需时间 ... , 而且因 psub 会变动 , 做不好 , 很容易会发生 latchUP , 负压 CHIP 很常发生 latch UP . 负压pump 如 TFT LCD driver 那类很多用 高压正负压工艺 ,且 gate本身高压 , 还有些就是 32v MOS 切成正负压16V . 另一种是 Well 内 给负压 , PSUB 还是 0V . Negative LDO 就 ldo输出端 那一个mos 改 nmos , source 输入, drain 输出 , Negative LDO 跟一般LDO 不同, 但是 输出端电容 都对 GND 挂 .
一般positive LDO , 输出pLDMOS , source 接高压 , 输出 drain 端 , pLDMOS 的 gate要做好 clamp . 输出端电容 都对 GND 挂 .
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