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[原创] 关于折叠式共源共栅的CMFB技术

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发表于 2023-4-5 20:45:48 | 显示全部楼层 |阅读模式

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最近在阅读Sansen的《精粹》一书,书中提到的CMFB技术中,有一种称为线性MOS反馈的CMFB技术,结构如图1。文中描述这种CMFB技术带宽不高,不太常用。


小弟我最近使用这种结构进行仿真,设法用这个结构实现了想要的共模电压,但是因为也没有对这个结构有过流片经验,不知道其实际使用起来能不能实现稳定的共模控制,当共模受到扰动时能不能再恢复回来,稳定性如何。

因此想问一下有没有前辈有经验,是否推荐使用这种类型的CMFB技术,其是否还有其他的弊端。

图1

图1
(图1)



发表于 2024-1-18 14:10:29 | 显示全部楼层
上图中,MN3和3A管与左边接地的NMOS匹配,Vbias4管匹配。Vbias1保证这两组cascode管流过等比例的电流,从而使Vout维持在0电平附近。假使输入Vin的共模发生变化,只要差分对流过的电流不变,Vout共模就不会变。那么哪里在变呢?是Vin的共源节点,这个耦合点的共模点会变。但它下方的cascode电流镜会shield漏端的变化,保证折叠级和共栅级的电流匹配。

Vbias4管相当于共源共栅管,所以它的尺寸尽量大一些,来保证有足够的增益去抵抗漏端不匹配的MOS管阻抗带来的电压变化。

MN3、3A和左边的接地NMOS工作在线性区。线性区可以节约电压裕度,提高Vout的输出摆幅,另一方面MN3和3A的漏端是互联的,用来把差分抵消,把共模提取。这就要求两个管子尽量线性,所以选择线性区。线性区的增益很低,所以就进一步要求Vbias4的共源共栅管有足够的增益。
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版权声明:本文为CSDN博主「dongdaxiaobai」的原创文章,遵循CC 4.0 BY-SA版权协议,转载请附上原文出处链接及本声明。
原文链接:https://blog.csdn.net/dongdaxiaobai/article/details/90229316
发表于 2024-7-25 13:49:19 | 显示全部楼层
共模受到扰动时能恢复回来。。。
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