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[求助] NT_N层有什么用?

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发表于 2023-3-8 11:27:51 | 显示全部楼层 |阅读模式

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各位大佬好,NT_T层有什么用?设计规则里面写的用来阻挡PW注入,形成native NMOS。还有人说拿这个隔离噪声,原理是什么呢?
 楼主| 发表于 2023-3-8 11:31:32 | 显示全部楼层
还有这句话是什么意思:this layer is used to block NW and PW implant, If you use native NMOS devices in a circuit design, use this drawn layer with NW to generate PW。 我觉得这句话前后矛盾了啊,前面不是说阻挡PW注入吗,但后面又说用这一层和NW来形成PW,是什么意思呢?
发表于 2023-3-8 11:44:24 | 显示全部楼层
本帖最后由 Raed 于 2023-3-8 11:46 编辑

NT_N处的P阱参杂浓度比psub更低,衬底电阻更大,所以可用来隔离衬底噪声
发表于 2023-3-8 11:54:48 | 显示全部楼层


danalog 发表于 2023-3-8 11:31
还有这句话是什么意思:this layer is used to block NW and PW implant, If you use native NMOS devices  ...


你看design rule有mask列表,这个层次配合nw以及其他层次是可以逻辑运算生成pw的mask(不是指gds层次),至于在工艺上的作用,就像你发的这句话阻挡注入,但是和生成mask层次并不冲突
 楼主| 发表于 2023-3-8 12:15:47 | 显示全部楼层


wx148520 发表于 2023-3-8 11:54
你看design rule有mask列表,这个层次配合nw以及其他层次是可以逻辑运算生成pw的mask(不是指gds层次), ...


多谢前辈
发表于 2023-3-8 19:50:59 | 显示全部楼层
楼上解释的很好,学习学习!
发表于 2023-3-9 09:32:29 | 显示全部楼层


danalog 发表于 2023-3-8 11:31
还有这句话是什么意思:this layer is used to block NW and PW implant, If you use native NMOS devices  ...


现在好多都是双阱工艺,阱的掺杂是比衬底高的,通过NTN不生成阱,只能做在衬底上,衬底掺杂浓度低,载流子少,电阻就大,噪声什么的就不容易进来。噪声也是信号,也是要通过载流子的流动才能搞事情。

发表于 2023-3-9 16:02:50 | 显示全部楼层


danalog 发表于 2023-3-8 11:31
还有这句话是什么意思:this layer is used to block NW and PW implant, If you use native NMOS devices  ...


这句话是对的,PW= !(NW OR NT_N)
发表于 2023-3-9 16:05:13 | 显示全部楼层


Raed 发表于 2023-3-8 11:44
NT_N处的P阱参杂浓度比psub更低,衬底电阻更大,所以可用来隔离衬底噪声


NT_N是本征衬底,不在psub上做pwell的注入
发表于 2023-3-9 16:12:26 | 显示全部楼层
NT_N还是挺有用的
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