数字延迟单元结构疑问

Leon.sl · 发表于 2023-3-7 19:50:37

本帖最后由 Leon.sl 于 2023-3-7 20:07 编辑

请问各位，为什么数字标准单元中的DEL延时单元要采用这样的结构呢？

直接增大MOS管的W不行吗? PMOS和NMOS都串联目的是什么呢？

很疑惑，求指点

Leon.sl · 发表于 2023-3-8 20:01:36

mynameisluojian 发表于 2023-3-8 10:22
1、节点间的寄生是有作用的，相当于多级结构了；2、所有数字单元器件的L保持一直，利于版图。这个要看具体 ...

感谢，明白了

Aquarius_10001 · 发表于 2023-3-7 19:50:38

1、节点间的寄生是有作用的，相当于多级结构了；2、所有数字单元器件的L保持一直，利于版图。这个要看具体电路的要求了，有时候也是可以直接增大L的

Leon.sl · 发表于 2023-3-7 20:00:38

登录/注册后可看大图

怎么发不了图片了

Twonej · 发表于 2023-3-7 20:54:21

个人猜测，L大电流小，给下一级充电的速度更慢同时功耗也小

萧炎 · 发表于 2023-3-8 08:33:28

多个MOS串联增大了L，至于为啥不直接用长沟道的管子，我猜是为了方便修调，需要更大电流时把多余的管子短掉就行了。

ww1573428537 · 发表于 2023-3-8 09:01:05

增大L，增多级数

Leon.sl · 发表于 2023-3-8 20:03:12

Twonej 发表于 2023-3-7 20:54
个人猜测，L大电流小，给下一级充电的速度更慢同时功耗也小

确实是为了增大L，谢谢解答

Leon.sl · 发表于 2023-3-10 16:02:42

Lengyuchen 发表于 2023-3-8 08:33
多个MOS串联增大了L，至于为啥不直接用长沟道的管子，我猜是为了方便修调，需要更大电流时把多余的管子短掉 ...

正确的想法

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