折叠cascode运放，仿真发现在不同电源电压情况下增益不同（VDD越小，增益越大）

ZZW_semic · 发表于 2023-3-1 15:50:14

Issac_Wang 发表于 2023-3-1 15:36
管子对应

你还是没明白我的意思，我的意思是电压高的情况下，与OUT相连的NMOS存在drain/body漏电，所以dc_gain降低。你试一下将那一对NMOS body接到source上，再去看一下

Issac_Wang · 发表于 2023-3-1 16:04:39

本帖最后由 Issac_Wang 于 2023-3-1 16:06 编辑

ZZW_semic 发表于 2023-3-1 15:50
你还是没明白我的意思，我的意思是电压高的情况下，与OUT相连的NMOS存在drain/body漏电，所以dc_gain降低 ...

我刚试了一下，确实是这样的，非常感谢

但是我这个是5V的mos管，为什么还会这样呢，不应该在耐压范围内吗

小白鞋 · 发表于 2023-3-1 16:24:25

Issac_Wang 发表于 2023-3-1 16:04
我刚试了一下，确实是这样的，非常感谢

但是我这个是5V的mos管，为什么还会这样呢，不应该在耐 ...

热载流子效应。

Issac_Wang · 发表于 2023-3-1 16:46:47

小白鞋发表于 2023-3-1 16:24
热载流子效应。

oo我似乎有点理解了，漏电其实是一直都存在的，只是我的工作电流太小了，因此很显示出来明显。如果我的工作电流很大才可以忽略这个漏电的影响

[求助] 折叠cascode运放，仿真发现在不同电源电压情况下增益不同（VDD越小，增益越大）