无片外电容LDO如何优化undershoot

hillor-8 · 发表于 2023-2-21 16:49:08

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请问有没有做无片外电容LDO的前辈，EA用的是高摆率推挽输出放大器,没有反馈网络。仿真的时候，这个电路的瞬态（tran)特性的undershoot太大了，要调哪些参数才能变小？而且这篇论文也没有稳定性的零极点分析，没有用到（米勒）电容补偿，要怎么才能保证相位裕度大于60？

hillor-8 · 发表于 2023-2-21 17:42:04

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豆不毁 · 发表于 2023-2-22 09:19:25

本帖最后由豆不毁于 2023-2-22 09:46 编辑

输出阻抗够低的话，主极点就是powermos的栅极，输出次极点，理想状态就是单级点系统。undershoot试试增大一下电流

213kkw · 发表于 2023-2-22 11:05:25

看看谢谢

icdane · 发表于 2023-2-22 12:29:02

发undershoot图看看怎么分析

hillor-8 · 发表于 2023-2-22 14:10:20

icdane 发表于 2023-2-22 12:29
发undershoot图看看怎么分析

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hillor-8 · 发表于 2023-2-22 17:07:10

豆不毁发表于 2023-2-22 09:19
输出阻抗够低的话，主极点就是powermos的栅极，输出次极点，理想状态就是单级点系统。undershoot试试增大一 ...

谢谢前辈！我之前负载电流是从20uA扫到50mA,lis档里和功率管相连的PMOS管是linear的，改从38uA扫到50mA的时候，那个PMOS管就饱和了，而且under shoot确实有变小一点（但还是很大），但是暂态分析的lis档里面的功率管一直是cutoff的状态，我是不是要减小功率管的尺寸比较好？让他的寄生电容小点，更快速的响应？这个暂态的lis档显示的到底是什么时候MOS管的状态？

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