热电子效应为什么会使NMOS的阈值增大

硅下亡魂 · 发表于 2023-2-18 13:22:06

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热电子效应为什么会使得NMOS管得阈值增大，电子钻到栅氧里不是相当于栅氧变薄了吗？那栅极得控制能力不是应该更强了吗？

tianshusheng · 发表于 2023-2-20 10:17:12

建议看下半导体物理

fei_SH · 发表于 2023-2-20 14:51:48

HCI效应。简单的来说电子留在栅氧，等效于栅极加了负压。沟道更难反型形成沟道，需要更高的Vt才能形成沟道开启。

硅下亡魂 · 发表于 2023-2-20 20:03:49

fei_SH 发表于 2023-2-20 14:51
HCI效应。简单的来说电子留在栅氧，等效于栅极加了负压。沟道更难反型形成沟道，需要更高的Vt才能形成沟道 ...

明白了，谢谢兄弟

水金哥欠 · 发表于 2023-2-21 16:25:06

这个效应应该跟NMOS的PBTI（Positive Bias Temperature Illumination）效应类似，电子进入栅氧化层后，栅极电压发出的电力线需要先抵消栅氧化层中的电子，抵消之后才能到达沟道实现沟道电子的反型，所以阈值电压增大了

硅下亡魂 · 发表于 2023-2-21 16:30:29

水金哥欠发表于 2023-2-21 16:25
这个效应应该跟NMOS的PBTI（Positive Bias Temperature Illumination）效应类似，电子进入栅氧化层后，栅极 ...

很细致兄弟，谢了。

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