请问这个大电阻有什么作用

ccccy

totowo 发表于 2023-2-15 13:02
还有防Latch Up，你这里还直接把N管接到这个点了，P和N管容易形成Latch up
TSMC的要求你这个至少要放200 ...

请问会发生latch up是什么意思呢，这里电路虽然P管和N管做在一起，但是版图上这两个管子都是高压管，距离肯定是在12um外的，并且P管和N管都有隔离环。而且TSMC是什么意思呢，

u12u34

我觉得和ESD还有Latch-up没关系， 这个不是端口，肯定不会做HBM的ESD防护。其次BCD工艺不怎么考虑CDM的问题。.18以上工艺都不用刻意去做二级保护用来CDM防护。Latch up也不像，因为LDMOS有漂移区和NBL埋层隔离的存在也不需要特意去做个电阻。这个电阻应该是用来保护P2740的，PLDMOS的漂移区在Drain端，所以PLDMOS的VGS耐压和常规PMOS一样，万一VINA很高，栅压比较低，那这个管子就坏了。

ccccy

u12u34 发表于 2023-2-18 18:00
我觉得和ESD还有Latch-up没关系， 这个不是端口，肯定不会做HBM的ESD防护。其次BCD工艺不怎么考虑CDM的问题 ...

很同意你的说法，我们这里讨论过也是否定了ESD和latch_up的作用，这里P2740的栅极连接的是虚地，同样是在5V下电压为0.9V，VINA在5V以上就会变成VINA-5V，这样就能保护P2740，这根管子在VINA大于5V时是不导通的，但是考虑到过冲，可能会在5V时有较大电压，所以这个电阻放这里是有这个用法。