MOS栅极氧化层击穿问题

润泽 · 发表于 2023-2-1 15:21:03

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工艺需要Vgs小于5V，如果超出5V管子会被击穿，如果NMOS的Vgs小于-5V，氧化层会不会仍被击穿呢

522526tl · 发表于 2023-2-1 15:40:52

本帖最后由 522526tl 于 2023-2-1 16:23 编辑

回答有点不对，编辑了

润泽 · 发表于 2023-2-1 16:09:19

522526tl 发表于 2023-2-1 15:40
不会，反向击穿电压会稍微高一点点

好的，谢谢大佬，您能不能讲一下这个原理呢？

522526tl · 发表于 2023-2-1 16:22:45

润泽发表于 2023-2-1 16:09
好的，谢谢大佬，您能不能讲一下这个原理呢？

我说的不太严谨，应该是NMOS，然后B跟S端短接，这样Vgs击穿会比Vdg电压小一些

润泽 · 发表于 2023-2-1 17:04:59

522526tl 发表于 2023-2-1 16:22
我说的不太严谨，应该是NMOS，然后B跟S端短接，这样Vgs击穿会比Vdg电压小一些
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好的，谢谢

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