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[求助] esd

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发表于 2023-1-30 10:31:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
50资产
这种esd电路的mos管尺寸可以调小吗,求大佬指教

Screenshot.png
发表于 2023-1-30 10:47:18 | 显示全部楼层
ESD等级和你的Spec有关,和版图,尺寸,被保护的器件都有关系。首先,ESD本身要达到Spec要求,其次clamp电压不能太高(相对被保护器件),否则需增加二级保护电路。
发表于 2023-1-30 11:19:41 | 显示全部楼层
这个要具体考虑你的ESD电流的泄放情况,如果在你当前的尺寸下ESD电流泄放的大小和器件的失效相比的余度很大,那么就可以适当减小一点尺寸,但如果在PVT情况比较差的corner下比较危险了,那就不能调小了。
发表于 2023-1-30 12:03:23 | 显示全部楼层
图提错了,一级保护和二级保护之间应该还有电阻
发表于 2023-1-31 09:29:00 | 显示全部楼层
你这个是高压带iso的device,size建议遵循fab的design rule来做。
如果有tlp数据,可以根据tlp数据适当调整管子size
发表于 2023-2-3 08:55:36 | 显示全部楼层
这个问题不够清晰:
1.这个是什么电压的器件,5V以下的CMOS 和DDDMOS和LDMOS单位umESD能力都不一样,1.5V和5V的也不一样。
2.有没有提供这个器件的TLP参数?如果是低压器件,可以根据TLP的It2和你需要的ESD SPEC推算需要的尺寸,如果是高压LDMOS,那最好完全按照guideline去做。高压器件It2和HBM相关性并不好,Width dependence也不完全线性。
3.第一级和第二级都是200um,感觉并不像是一级保护和二级保护,电路架构并不清晰。
4.VDD对GND的clamp是什么架构?chip level的能力是要综合来看的。如果是active clamp且能力足够大,那么IO本身对ESD能力要求并不高,甚至可以完全用diode替代。如果利用的是body diode,那么对HBM 2KV要求来说,100um都足够用了。
 楼主| 发表于 2023-2-10 15:21:05 | 显示全部楼层
可以改变figer减小esd的面积吗
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