关于前后仿，MOS阈值电压差别过大的问题

Matthew_Zhang · 发表于 2023-1-16 11:16:10

小弟设计了一个动态放大器，在画好版图后利用Calibre提取寄生参数，选择了noRC模式，想观察一下只有MOS寄生参数对电路的影响。

在后仿结果出来之后发现：
1、差分输入对管的阈值电压VTH变化特别大，前仿大概在450 mV。后仿突增至520 mV以上，导致原本设置的工作点偏离。

之后做出的验证：
1、使用了“ABBA”以及共质心匹配进行布局（同时周围添加DUMMY管），但效果不大，VTH的变化仍然很大。
2、单独画一个MOS管，即finger = 1，m = 1。观察前后仿结果，发现阈值电压仍然差别巨大。

疑问：
1、画版图期间是否少在NMOS的周围放置了其他层导致二阶效应严重，使得前后仿差别过大？
2、Calibre提参过程中未设置正确？

下方附上Finger = 1, m = 1的前后仿结果以及版图。