SMIC 0.18 BCD工艺仿真

D_astr · 发表于 2023-1-13 17:02:11

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最近刚开始用BCD工艺，有大佬知道里面的LDMOS为什么有栅极电压限制吗？
屏幕截图 2023-01-13 165039.jpg

这个是有5V的限制警告
屏幕截图 2023-01-13 165058.jpg

这个是管子的剖面图：
屏幕截图 2023-01-13 165154.jpg

398144753 · 发表于 2023-1-13 17:22:44

LDMOS的GOX复用5V MOS，承诺的最大电压只有5.5V。当然是可以再高，但是需要根据电压和总面积依照TDDB模型推算寿命

u12u34 · 发表于 2023-1-14 10:54:21

LDMOS能用于高压的地方不是栅级，LDMOS因为引入了漂移区，他的drain端能承受高压，其源端和栅端耐压能力不强。所以VGS很低，VGD和VGS很高。这和器件结构有关，所以LDMOS不能反着用。

renyuan · 发表于 2023-2-9 13:37:01

漏极有漂移区，可以耐高压；栅极没有变化，依然还是栅氧层，相当于正常的电容，高压自然击穿不能用了。不过有thick oxide的管子，就可以接高压

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