仿真软件提取Rdson 问题

绿柳轻扬2 · 发表于 2023-1-9 21:11:31

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Sprocess 仿真一个2D MOS cell,提取Ron 时发现Ron会随着areafactor (Z方向器件长度)变化，这样的话areafactor 一般怎么取？？
另外，仿真得到的Ron怎么估算芯片的实际Ron(有源区面积已知)？？
以上问题一直没弄懂，希望大神指教，谢谢！

ControllerA · 发表于 2023-1-9 22:44:12

在mosfet中一般会使用specific Resistance来判断mosfet电阻水平，应将电阻仿真更改为specific resistance

buy117035365 · 发表于 2023-1-10 08:30:15

areafactor=AA/pitch

绿柳轻扬2 · 发表于 2023-1-10 18:38:32

buy117035365 发表于 2023-1-10 08:30
areafactor=AA/pitch

手册上说的是Z方向长度，默认值是1um,我觉得是把它定义某一个值后，所仿真cell电流会乘以这个值变大，计算Ron就小了，不知道是不是这样？

绿柳轻扬2 · 发表于 2023-1-10 18:40:36

ControllerA 发表于 2023-1-9 22:44
在mosfet中一般会使用specific Resistance来判断mosfet电阻水平，应将电阻仿真更改为specific resistance ...

请教下Sentaurus里也可以这样设置吗？

buy117035365 · 发表于 2023-1-11 10:05:40

绿柳轻扬2 发表于 2023-1-10 18:38
手册上说的是Z方向长度，默认值是1um,我觉得是把它定义某一个值后，所仿真cell电流会乘以这个值变大，计 ...

是的，默认是1μm的Z方向，用有源区/pitch就代表实际的总沟道宽度

绿柳轻扬2 · 发表于 2023-1-29 20:31:34

buy117035365 发表于 2023-1-11 10:05
是的，默认是1μm的Z方向，用有源区/pitch就代表实际的总沟道宽度

好的，明白了，从另一同事那得到也是这种结果，谢谢

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