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[求助] 东部工艺ISO Ring疑问

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发表于 2023-1-9 10:19:29 | 显示全部楼层 |阅读模式

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最近画版图开始接触ISO Ring,东部工艺,有几个问题请教大家:
1.什么类型的管子需要添加ISO Ring,换言之,怎么判断这个管子需不需要添加?
2.ISO Ring Placer里面是有不同类型的隔离管的,凭借管子类型怎么判断添加什么类型的隔离管?
3.关于器件剖面图,对剖面图理解不到位,例如如下两个剖面图,在作用上有什么区别?在PDK中CMOS Isolation Options中明确指出这两种作用有优劣,但是不太理解。
屏幕截图 2023-01-09 101420.png
屏幕截图 2023-01-09 101438.png
 楼主| 发表于 2023-1-9 10:45:20 | 显示全部楼层
upupup
发表于 2023-1-9 11:33:31 | 显示全部楼层
没用过,了解下
发表于 2023-1-9 12:38:20 | 显示全部楼层
本帖最后由 andy2000a 于 2023-1-9 16:59 编辑

https://bbs.eetop.cn/thread-883547-1-1.html  

https://bbs.eetop.cn/thread-920611-1-1.html
怎么判断这个管子需不需要添加 , 這  ISOdevice 會有


高压工艺deep well NBL isolation .
你看同一工艺会同时有  ?

有些BCD工艺只有DNW NBL

如都有你看耐压有何差别


MORE

https://bbs.eetop.cn/thread-895611-1-1.html


发表于 2023-1-9 14:27:18 | 显示全部楼层
1,版图是帮助电路完成物理实现。电路是源头,很多东西不是由版图自己决定的。什么类型管子需要放iso ring,要先去看电路上是怎么设计的。设计上有iso那就必须得带iso
2,同理,版图需要什么样的iso。去看电路上是怎么设计的。管子类型是什么样的
3,第一张图,很典型,DNW工艺。DNW 在衬底上独立隔离出一块“局部衬底”,这个局部衬底上可以做出衬底电位不同于PSUB 的NMOS,PMOS也可以放入DNW 。NMOS做在SDPW里面PMOS做在SDNW里面。DNW通过SDNW接上电位。
发表于 2023-1-9 14:35:46 | 显示全部楼层
不是isodevice就不需要isoring呀,这看电路设计用的什么类型的mos,普通mos的话围什么isoring哦,直接npguard就行了
发表于 2023-1-9 15:01:28 | 显示全部楼层
我的理解是,在电路设计中会知道要用哪些devices,具体的什么电压用到什么devices,这些应该都在相应的PDK中参考,版图中要用什么iso ring通常都是由标准的元件库决定的,除非你们的设计要用到特别的元件,那应该由设计人员跟foundry沟通来修改元件规格,通常需要做额外的test chip来确认是否可行。
发表于 2023-1-9 15:15:12 | 显示全部楼层
在我的经验中,添加ISO ring 要么是因为模块内信号敏感,需要进行隔离处理,用ISO ring,要么是本身电路设计要求,N管的衬底不接地。
图一和图二的区别是图一的ISO ring 电位和P管的N阱电位一致,图二可以让ISO ring 的电位与P管的N阱电位独立分隔起来。也是看电路要怎么调用。
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