一个关于VCO的开关电容对相位噪声影响的问题，请大家讨论

cll412121 · 发表于 2011-3-30 10:29:45

这一篇目前看到的最精彩的讨论都是大牛

harry1862pd · 发表于 2011-4-21 20:51:52

duxoie a

shikaicool · 发表于 2011-4-26 14:21:26

bucuo studying

xsjyahoo · 发表于 2011-5-20 10:53:02

回复 10# zwtang

I-MOS 电容的话，在交流平均的情况下是阶跃模型，但是在实际情况下，用MIM开关电容阵列是一个固定电容值，这样电容随震荡电压变化很小，这样会不会有利于改进相位噪声呢？另外，SMIC下都是A-MOS，不知道同样的方法需要在DIGITAL 控制端加入二次谐波滤波器，滤除二次谐波吗？

zwtang · 发表于 2011-5-20 14:27:47

I-NMOS电容，Bulk接VSS，G接电感的振荡节点，S和D接一起。如果S和D接VSS时，电容表现为最大值；如果S和D接VDD时，电容表现为最大值。这种特性与MIM开关电容相同。
MIM开关电容的最小电容值太大，I-MOS电容可以调节很小的电容值。微调电容值建议采用IMOS电容。

A-MOS通常尺寸较大，不便于微调电容值。

压控电压处不需要加二次滤波。我博士论文中的提法只是一种不成熟的想法。

zwtang
2011/5/20

shikaicool · 发表于 2011-11-15 13:02:31

thanks

happyboy93 · 发表于 2011-11-15 22:41:19

好贴，学习学习

可爱多999 · 发表于 2012-2-15 16:00:07

回复 5# mainhand

你好，我想请教你一个问题：你说对于尾电流管的热噪声和flicker noise，是在其栅极加了一个用两pmos做的lowpass RC电路，其中
R是处于深三极管区的长沟道pmos做的，我想问下，如何能使得它处于深三极管区呢？是如图所示的连接pmos管吗？
未命名.bmp

wm1630 · 发表于 2012-4-21 14:20:35

真是好帖，留个记号，方便下次阅读

mphorse · 发表于 2012-9-4 21:54:43

好贴，收藏了

一个关于VCO的开关电容对相位噪声影响的问题，请大家讨论

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