CSMC工艺hot TB和cold TB的疑问？

Issac_Wang · 发表于 2022-11-18 08:49:21

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各位，小弟在查看CSMC工艺有源区规则的时候，发现提到了cold TB和 hot TB两种阱，但是这两种阱是怎么定义的呢，我原本以为热阱是高压的，冷阱是低压的，可实际DRC时发现不是这样。

843071455 · 发表于 2022-11-18 09:14:38

按照规则定义接最高电位且电压稳定的阱为cold，其余的都为hot,所以一般的cold也就是指高压vcc。

Issac_Wang · 发表于 2022-11-18 09:33:12

843071455 发表于 2022-11-18 09:14
按照规则定义接最高电位且电压稳定的阱为cold，其余的都为hot,所以一般的cold也就是指高压vcc。 ...

我在规则里看到，cold 和外面的N+有源区间距要3u，反而不是高压的hot和外面的 N+ 有缘区间距5u，通常来说不应该电压越高距离越大才对嘛，为什么高电压的cold反而要求的距离小了呢

843071455 · 发表于 2022-11-18 10:03:20

Issac_Wang 发表于 2022-11-18 09:33
我在规则里看到，cold 和外面的N+有源区间距要3u，反而不是高压的hot和外面的 N+ 有缘区间距5u，通常来说 ...

你说的是1um 40v的规则吧？回去再看看文档再说，没有说高压的cold到有源区是3um啊，写的还是5um啊。

Issac_Wang · 发表于 2022-11-18 10:08:57

本帖最后由 Issac_Wang 于 2022-11-18 10:20 编辑

843071455 发表于 2022-11-18 10:03
你说的是1um 40v的规则吧？回去再看看文档再说，没有说高压的cold到有源区是3um啊，写的还是5um啊。
...

感谢，看到cold里面也分 LV 和 HV了。但是就是说同样都是LV的话：规则里说Minimum clearance from cold TB to N+ TO ≥3u，Minimum clearance from hot TB to N+ TO ≥5u，我是说这个，为什么接最高电位的cold大于3，不是最高电位的反而要大于5？难道突出的是要稳定的电位吗，如果不稳定距离要大一些，就像下图

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