【已解决】低噪声延时单元设计：为什么反相器串联一个电阻可以减小flick noise?

邓小力

如下图所示：
左图(a)结构如果想减小flick noise只能增大晶体管的尺寸，这会导致前级反相器的驱动能力压力增大。
但是如果用右边的结构(b)，NMOS管就可以在使用小尺寸的同时flick noise还很小。
paper中简单提了一句“To reduce this effect we use a resistor above the nMOS(Fig. 3b) which now acts as a switch”，所以工作在线性区的晶体管flick noise会更低嘛？flick noise不是应该只与工艺有关系？

提前感谢大家！

渊默

可不可以提供一下你看的是那篇文献

邓小力

渊默 发表于 2022-11-17 17:11
可不可以提供一下你看的是那篇文献

这篇文章~
N. Markulic, K. Raczkowski, P. Wambacq and J. Craninckx, "A 10-bit, 550-fs step Digital-to-Time Converter in 28nm CMOS," ESSCIRC 2014 - 40th European Solid State Circuits Conference (ESSCIRC), 2014, pp. 79-82, doi: 10.1109/ESSCIRC.2014.6942026.

liuyi_RF

线性区晶体管的flicker noise很难传到输出结点

邓小力

liuyi_RF 发表于 2022-11-25 17:10
线性区晶体管的flicker noise很难传到输出结点

这是怎么说？线性区晶体管和饱和区晶体管的什么区别能够导致这种差异呢？