NBL埋层

芯芯向上

SMIC的BCD工艺中，有些LDMOS器件的DNW和NBL层是相连的，NBL电位和DNW一样，而有的结构NBL层虽然也和DNW相连了，但会开很多slot，想请问论坛的大神们，NBL开slot的作用是什么呢？它和不开slot的器件结构有什么不一样么？工艺里只是LDMOS的工作电压不一样。

BanKai

顶一下

liaohero

記得是一樣的東西只是每家定義名稱不同，可以貼一些圖來看一下

芯芯向上

liaohero 发表于 2022-11-15 09:20
記得是一樣的東西只是每家定義名稱不同，可以貼一些圖來看一下

   你好，器件结构如下图。目前，我得知NBL开slot是为了减小其杂质浓度提高与它形成的PN结的击穿电压，还有就是实际工艺中这些slot是连接起来的，不知道是否是这样呢？    还有一个疑问就是图中采用在NDRF和Gate中间加了SAB，然后采用CM层（Contact hole of metal1 to metal0 文件中原话）将NDRF连接了其他电位（有些连pbody中P+的，也有连pbody中N+的，还有连gate的），目前我认为这种结构是为了提高耐压，防止gate和NDRF接触处被击穿，但这和接不同电位有啥关系呢？也就是说这种结构提高耐压的机理是啥呢？

이지은

你看一下desgnrule里的剖面图就很明了了，我记得smic普通的应该是hvbn，bcd里面是nbl，区别好像就是different电位的p还是n不能放一个环里，bcd相反

张2018

芯芯向上 发表于 2022-11-15 21:08
你好，器件结构如下图。目前，我得知NBL开slot是为了减小其杂质浓度提高与它形成的PN结的击穿电压，还 ...

开slot应该就是为了降低浓度提高耐压，这样可以省一张版，而且NBL是做在很前面的，后面会有推结，所以slot会被扩散吃掉。
漂移区SAB上面那块孔是为了引入场板？为什么不用poly场板呢？怕栅氧化层耐压不够？还是为了降低Cgd？
而且这套工艺里面孔的大小不是固定的吗？

芯芯向上

张2018 发表于 2022-11-19 12:41
开slot应该就是为了降低浓度提高耐压，这样可以省一张版，而且NBL是做在很前面的，后面会有推结，所以slot ...

    谢谢回答，想再问一下：     是因为slot被扩散吃掉了所以能降低浓度吗？所以其实NBL还是连着的，只是slot处N+掺杂很低吗？又是如何省了一张板呢？连接场板的作用是为了防止静电还是提高耐压呀？

note30933

芯芯向上 发表于 2022-11-15 21:08
你好，器件结构如下图。目前，我得知NBL开slot是为了减小其杂质浓度提高与它形成的PN结的击穿电压，还 ...

学习了

嘎嘎mika

学习了

FlyingPig2

芯芯向上 发表于 2022-11-20 15:53
谢谢回答，想再问一下：     是因为slot被扩散吃掉了所以能降低浓度吗？所以其实NBL还是连着的，只是 ...

是的，因为被扩散吃掉了，所以浓度相较于没有slot低一些