关于无片外电容的LDO的问题

努力学习ing · 发表于 2022-11-11 15:46:30

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对于一个CL-LDO，仿真负载突变都是有几十毫安，假设1mA的电流给100pF电容充电，1ns就能使电容电压变化10V，这种无片外电容结构，负载突变直接把功率管拉到击穿电压或者压到深度线性区匹配电流，过冲电压和欠冲电压也不符合下面的公式，仿真功率管栅极电压也跟着会发生突变，跟理论上经过环路调整电压也不一样。

xuwenwei · 发表于 2022-11-11 16:44:41

我想请教一下1mA的电流给100pF电容充电，1ns就能使电容电压变化10V，根据IΔt=CΔV，计算出来ΔV=1mA*1ns/100p=0.01V，我不知道我算的对不对

努力学习ing · 发表于 2022-11-11 17:18:12

xuwenwei 发表于 2022-11-11 16:44
我想请教一下1mA的电流给100pF电容充电，1ns就能使电容电压变化10V，根据IΔt=CΔV，计算出来ΔV=1mA*1ns/1 ...

写错了，1us

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